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　　美(měi)光公司在华(huá)销售的产品未通过网络安全(quán)审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安全审查办公室(shì)依法对美(měi)光公司在(zài)华(huá)销售产品进行了网络安(ān)全审查(chá)。

　　审(shěn)查(chá)发(fā)现，美光公司(sī)产品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设施供应(yīng)链造成重大(dà)安全风(fēng)险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国家安(ān)全。为此，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法(fǎ)作出不(bù)予通过网络安全审(shěn)查的(de)结论。按(àn)照《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息基础设施的运(yùn)营者应停止采(cǎi)购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光公司产品进(jìn)行网络安全审(shěn)查，目的是(shì)防(fáng)范产品网络(luò)安(ān)全问题危(wēi)害国家(jiā)关键信息(xī)基础设施(shī)安全，是维护733是什么意思国(guó)家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推(tuī)进高水平对(duì)外开(kāi)放，只要遵守中国(guó)法律(lǜ)法规(guī)要(yào)求，欢迎(yíng)各(gè)国企业(yè)、各类平台产品服(fú)务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息(xī)基础设施供应链安全，防范(fàn)产品问题(tí)隐(yǐn)患造成(chéng)网络(luò)安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中华人(rén)民共和国网络安全法》，网络安全(quán)审查办公室按(àn)照《网络安(ān)全审查办法》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施(shī)网(wǎng)络安全审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行(xíng)业(yè)龙头，733是什么意思也是(shì)全(quán)球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存(cún)储等公司(sī)披露过美光(guāng)等国际(jì)存储厂商为公司(sī)供应(yīng)商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙(lóng)采(cǎi)购(gòu)占比已经显著下降，至少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波龙(lóng)第一(yī)大存储晶圆供应商，采(cǎi)购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第(dì)一大、第二大和第三大供(gōng)应商采购金额占(zhàn)比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已经在存储产业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年(nián)报显示，江波(bō)龙与三星、美(měi)光、西部数据等主要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保存(cún)储晶圆供(gōng)应的(de)稳定性，巩固(gù)公司在下游市场(chǎng)的供应优势，公司(sī)也与国内(nèi)国产存(cún)储晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长江存(cún)储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就分析，如(rú)果美光(guāng)在中国区(qū)销(xiāo)售受(shòu)到限制，或将导致下(xià)游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞(jìng)对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会(huì)更深的(de)孔或者沟(gōu)槽，催生(shēng)更多设备(bèi)需求。据东京电(diàn)子披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被(bèi)加入(rù)美国(guó)限制名(míng)单，设备国产化进(jìn)程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提升，以及存储业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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