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孙权劝学中的古今异义,劝学中的古今异义词整理

孙权劝学中的古今异义,劝学中的古今异义词整理 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发消息(xī)。

  美光公(gōng)司在华销售的产品未(wèi)通过网络安全审(shěn)查(chá)

  据网(wǎng)信办(bàn)消(xiāo)息,日前(qián),网络安全(quán)审查办公室(shì)依法(fǎ)对美光公司在华销售产品进行了网络安全审查(chá)。

  审查发现,美(měi)光公司(sī)产品存在较严重网络安全问题隐患,对我国关键信息基础设(shè)施供应链造(zào)成(chéng)重大安全风险(xiǎn),影响(xiǎng)我国(guó)国家(jiā)安全。为此,网络安(ān)全审查办公室依法作出不予通过网络(luò)安全审查的(de)结(jié)论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规(guī),我(wǒ)国内关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设施的运营(yíng)者应停止采购美(měi)光公司产品。

  此次对美光公司产(chǎn)品进行(xíng)网络安全审查,目的是防范(fàn)产品网络安全问题危害(hài)国家关键信息(xī)基础设施安(ān)全,是维护(hù)国家安全的(de)必要(yào)措施。中国(guó)坚定(dìng)推进高水平对外开放,只要遵(zūn)守中国法(fǎ)律(lǜ)法规要求(qiú),欢迎(yíng)各(gè)国企业、各类平台产品服务进(jìn)入中国市场。

  半导(dǎo)体突发(fā)!中(zhōng)国出手:停(tíng)止采购!

  3月31日,中国网信(xìn)网发文称,为保障关键(jiàn)信(xìn)息基础设(shè)施供(gōng)应链安全(quán),防(fáng)范产品问题隐患造成网络安全(quán)风(fēng)险,维护国家安全,依据《中(zhōng)华人(rén)民共和(hé)国国家安全法》《中华(huá)人民共和国网络(luò)安全法(fǎ)》,网(wǎng)络安全审查办公室按(àn)照《网络安全审查办法》,对美光(guāng)公司(sī)(Micron)在华(huá)销售的产品实施网络安全(quán)审查。

  半导体(tǐ)突发!中国出手:停止采购(gòu)!

  美光是(shì)美国(guó)的存(cún)储芯片行(xíng)业龙(lóng)头,也是(shì)全球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之一(yī),2022年收(shōu)入来自中国市场(chǎng)收入(rù)从此前高(gāo)峰57%降至2022年约11%。根(gēn)据(jù)市(shì)场咨询机构(gòu) Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (内(nèi)存)市场份额约为 94.35%。

  A股上市公司中,江波(bō)龙(lóng)、佰维存储等公(gōng)司披露(lù)过美光等国际存储厂商为公司供应商。

  美(měi)光(guāng)在(zài)江波龙(lóng)采(cǎi)购占比已(yǐ)经显著下降,至少已经(jīng)不是主要(yào)大供应商。

  公(gōng)告显示, 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆(yuán)供(gōng)应商,采购约31亿元,占(zhàn)比33.52%;2022年,江波(bō)龙第一(yī)大、第二大和第三大供(gōng)应商(shāng)采购(gòu)金额占比分别(bié)是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示(shì),江(jiāng)波龙与(yǔ)三星、美光、西部数(shù)据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了长期合约,确(què)保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供应的稳定性,巩固公司在(zài)下(xià)游市场(chǎng)的供(gōng)应优(yōu)势,公(gōng)司也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作。

  有券商此前就分析,如(rú)果(guǒ)美光在中国区销售受到限(xiàn)制,或(huò)将导(dǎo)致下游客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士,国(guó)内长江存(cún)储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞(jìng)对产(chǎn)品

  分析称(chēng),长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代(dài),2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过(guò)薄膜沉积工艺步(bù)骤,同时刻蚀(孙权劝学中的古今异义,劝学中的古今异义词整理shí)目前(qián)前沿要刻到 60:1的(de)深孔(kǒng),未来可能会(huì)更深的孔或者沟槽(cáo),催生更(gèng)多设(shè)备需求。据东京电子(zi)披露,薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合计为75%。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被(bèi)加(jiā)入美国(guó)限(xiàn)制名单,孙权劝学中的古今异义,劝学中的古今异义词整理设备国产(chǎn)化进程加速(sù),看好(hǎo)拓(tuò)荆科技(薄膜(mó)沉积)等相(xiāng)关公司份额提升(shēng),以及存储业务占比较高的华海清科(CMP)、盛美上海(清洗)等收入增(zēng)长。

 

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