李白《江湖行》全诗及翻译注释，李白《江湖行》全诗及翻译

　　大家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光公(gōng)司(sī)在华销售的产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信(xìn)办消(xiāo)息(xī)，日前，网络安(ān)全审(shěn)查办公室依(yī)法对美光(guāng)公司在(zài)华销售产品进行了(le)网络安全审查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美光公司(sī)产品存(cún)在较严重网络安全问题隐患，对我国关(guān)键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予(yǔ)通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设施的运营者应停(tíng)止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次(cì)对(duì)美光公司产品(pǐn)进行网络安全审查，目(mù)的是防范产(chǎn)品网络安全(quán)问题(tí)危(wēi)害国家关键信息基础设施安全(quán)，是(shì)维护国家安(ān)全(quán)的必(bì)要措施。中国坚定推进高水平对外李白《江湖行》全诗及翻译注释，李白《江湖行》全诗及翻译开放，只要(yào)遵(zūn)守中国法(fǎ)律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品服务(wù)进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关键信(xìn)息基(jī)础设施供(gōng)应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维(wéi)护国家安全，依据(jù)《中华人民共和国国(guó)家安全法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和国网络安(ān)全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室(shì)按照(zhào)《网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查办法》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是全(quán)球(qiú)存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存(cún)储等公司披露过美(měi)光等国际存储厂商为(wèi)公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应(yīng)商，采(cǎi)购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第(dì)二大(dà)和第三大供应商采购(gòu)金额占(zhàn)比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业链(liàn)上下游建立国内(nèi)外广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部(bù)数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保存(cún)储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司(sī)在下游(yóu)市(shì)场的供(gōng)应优(yōu)势，公司也与(yǔ)国内(nèi)国产(chǎn)存储晶(jīng)圆原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储(chǔ)、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售(shòu)受到限制，或将导致下游客户(hù)转(zhuǎn)而(ér)采购国外三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长江存储、长鑫存(cún)储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备(bèi)厂或(huò)从中(zhōng)受益。存储器(qì)的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维(wéi)的结构(gòu)转(zhuǎn)变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经(jīng)过薄膜(mó)沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生更(gèng)多设(shè)备(bèi)需(xū)求(qiú)。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积(jī)设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存(cún)储被加入美国限制(zhì)名单，设备国(guó)产化进程加(jiā)速(sù)，看好拓(tuò)荆科(kē)技(jì)（薄膜沉(chén)积）等相关公司份(fèn)额提升，以及存(cún)储(chǔ)业务占比(bǐ)较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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