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牛鬼蛇神是什么生肖 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家(jiā)好,来看一则(zé)突发(fā)消息。

  美(měi)光(guāng)公司在华销售的产品未通过网络安全审查

  据网信办消息,日前,牛鬼蛇神是什么生肖网络安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)对美光公司在华销售产品(pǐn)进行(xíng)了(le)网络安全审(shěn)查。

  审查发现,美光公司(sī)产品存(cún)在(zài)较严重网络安全问(wèn)题隐患,对我国关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链造(zào)成重大(dà)安(ān)全(quán)风险,影响我(wǒ)国(guó)国(guó)家安(ān)全。为(wèi)此,网络安全(quán)审(shěn)查办(bàn)公室依(yī)法作出不予通过网络安全(quán)审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规,我(wǒ)国内关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施的运营者应停(tíng)止采购(gòu)美光公司产(chǎn)品。

  此次对(duì)美光(guāng)公司产(chǎn)品进行网(wǎng)络安全审查(chá),目的是防范产品(pǐn)网络安全问(wèn)题危害(hài)国家关键信息基础(chǔ)设施安全,是维护(hù)国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放(fàng),只要(yào)遵守中国法(fǎ)律法规要求(qiú),欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进入中国市场。

  半导(dǎo)体突(tū)发!中国出(chū)手:停止采购!

  3月(yuè)31日(rì),中(zhōng)国网信网(wǎng)发(fā)文(wén)称,为保障关(guān)键信息基(jī)础设(shè)施供应链安全,防范产品(pǐn)问题(tí)隐患造成网络安全风险(xiǎn),维护国家安全,依据《中华(huá)人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络(luò)安全法》,网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办公室(shì)按照《网络安全审查(chá)办法》,对美(měi)光(guāng)公司(sī)(Micron)在华销售的(de)产(chǎn)品实施网络安(ān)全审查(chá)。

  半导体突发!中国出手:停止采购!

  美(měi)光是美国的(de)存储芯片行业龙头(tóu),也是全球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头之一,2022年收入来自(zì)中国市场收入从(cóng)此前高峰57%降至2022年(nián)约11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、S牛鬼蛇神是什么生肖olidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash (闪存)市场份(fèn)额约(yuē)为(wèi) 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (内存)市(shì)场份额约为(wèi) 94.35%。

  A股(gǔ)上(shàng)市公司中,江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光(guāng)等(děng)国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

  美(měi)光在江波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已(yǐ)经显著下降,至少(shǎo)已经(jīng)不(bù)是主要大(dà)供应(yīng)商。

  公(gōng)告显示, 2021年美光(guāng)位列江波龙第(dì)一大存储晶圆(yuán)供应商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一大、第二大(dà)和第三(sān)大供应商采购金额占比分(fēn)别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在(zài)存储产业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报(bào)显示,江波(bō)龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主(zhǔ)要存(cún)储晶圆原厂签署(shǔ)了(le)长期合约,确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性,巩(gǒng)固公司在(zài)下游(yóu)市场的供(gōng)应(yīng)优(yōu)势,公司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存(cún)储(chǔ)、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合(hé)作。

  有(yǒu)券商此前(qián)就分析,如果美光在中国区(qū)销售受到限制,或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士,国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品(pǐn)

  分(fēn)析(xī)称,长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flas牛鬼蛇神是什么生肖h现(xiàn)在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代,2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为(wèi)最关键、最(zuì)大量的加(jiā)工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄(báo)膜沉积(jī)工艺步骤,同(tóng)时刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻到 60:1的深孔,未来可能会更深的孔或者沟槽,催生更(gèng)多(duō)设备需求(qiú)。据东京电子披露,薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支合计(jì)为75%。自(zì)长江存储被加入美国限(xiàn)制(zhì)名单,设备国产化进程(chéng)加(jiā)速(sù),看好拓(tuò)荆科技(薄膜沉积)等相关(guān)公司(sī)份额提升,以及存储业(yè)务占比较高的华海清(qīng)科(CMP)、盛美上(shàng)海(清洗)等收入增长。

 

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