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　　美光公(gōng)司在华(huá)销售(shòu)的产(chǎn)品未(wèi)通过网络(luò)安(ān)全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全审(shěn)查(chá)办公室(shì)依法对美(měi)光公司在华销售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司(sī)为什么风流女人看指甲产(chǎn)品(pǐn)存在(zài)较严重网络安全为什么风流女人看指甲问题隐患，对我国关(guān)键信息基础设施供应(yīng)链造成重大安全风(fēng)险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安全。为此，网络安全审查办公室依法作(zuò)出(chū)不予(yǔ)通过(guò)网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)审查的结(jié)论(lùn)。按照(zhào)《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国(guó)内关键信息(xī)基(jī)础设(shè)施的运营者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对(duì)美光(guāng)公司(sī)产品进行网络(luò)安全审查，目的是防(fáng)范产品网络安全(quán)问题危害国(guó)家关键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施安(ān)全，是维(wéi)护国家安全的必要(yào)措施。中(zhōng)国(guó)坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要(yào)遵(zūn)守中国法律法(fǎ)规要(yào)求(qiú)，欢迎各国企业、各(gè)类(lèi)平台(tái)产(chǎn)品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保障关键信息(xī)基础设施(shī)供应链安全，防范产品问题(tí)隐患造成网(wǎng)络(luò)安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安(ān)全审查(chá)办公(gōng)室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光(guāng)是美(měi)国的存(cún)储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国(guó)市场收入从(cóng)此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司披露过美光等国际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占(zhàn)比已(yǐ)经(jīng)显著(zhù)下降，至少(shǎo)已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美(měi)光(guāng)位列(liè)江波龙第一大(dà)存储晶圆供(gōng)应商，采(cǎi)购(gòu)约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一(yī)大(dà)、第(dì)二大和第三(sān)大(dà)供应商采购(gòu)金额占比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定(dìng)性(xìng)，巩固公司在下(xià)游市场的供应优势，公司(sī)也(yě)与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析(xī)，如果美光在中国区销售受到(dào)限制，或将导致下(xià)游客户转而采购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备(bèi)厂(chǎng)或从(cóng)中(zhōng)受益(yì)。存储器的生产已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目(mù)前(qián)前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求(qiú)。据(jù)东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi为什么风流女人看指甲)支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设(shè)备国产化进程(chéng)加速(sù)，看好拓(tuò)荆科技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关公司份额提(tí)升，以及存储(chǔ)业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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