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　　美光公司在华销售的产品未通过网络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)对美光公司在华销售产品进行了(le)网络安全(quán)审查。

　　审查(chá)发(fā)现，美光公司产品存(cún)在较严重网络(luò)安全问题隐患，对我国(guó)关键(jiàn)信息基础设施供(gōng)应(yīng)链造成(chéng)重(zhòng)大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安(ān)全(quán)。为此，网络(luò)安全审查办公室依法作(zuò)出(chū)不予(yǔ)通过网络(luò)安全审查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法规，我国(guó)内关键信息基(jī)础(chǔ)设施的运营者应(yīng)停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公司产品(pǐn)进行网(wǎng)络安(ān)全(quán)审(shěn)查(chá)，目的是防范产品网络安全(quán)问题(tí)危害(hài)国家关键信息基础设施安全，是维护国家(jiā)安(ān)全的必要措(cuò)施。中国(guó)坚定(dìng)推进高(gāo)水平对外开(kāi)放，只要遵守中(zhōng)国法(fǎ)律法规要求，欢迎(yíng)各国企业(yè)、各类平(píng)台产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文(wén)称，为(wèi)保障关(guān)键信息(xī)基础设施供应(yīng)链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成(chéng)网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国(guó)国家安全法》《中华(huá)人民共和国(guó)网络安(ān)全(quán)法(fǎ)》，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办公室按(àn)照《网(wǎng)络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业龙头，也(yě)是全球(qiú)存储(chǔ)芯(xīn)片巨(jù)头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自中国市(shì)场(chǎng)收入从此前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙采购(gòu)占比已经显著(zhù)下(xià)降，至少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大(dà)存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiā中国航发属于央企还是国企啊 中国航发是上市公司吗ng)波龙第(dì)一(yī)大、第二大(dà)和第三(sān)大供应商采(cǎi)购金额占(zhàn)比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已(yǐ)经在存(cún)储产业链上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年(nián)年报显示(shì)，中国航发属于央企还是国企啊 中国航发是上市公司吗江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市(shì)场(chǎng)的(de)供(gōng)应优势，公司也(yě)与国内国(guó)产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合(hé)作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就分析，如果美光在中国区销(xiāo)售(shòu)受到(dào)限(xiàn)制，或将导致下游客(kè)户转而采购国外(wài)三(sān)星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构(gòu)转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过(guò)薄(báo)膜(mó)沉积(jī)工(gōng)艺(yì)步骤，同时(shí)刻蚀目(mù)前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江存储被(bèi)加入(rù)美国限制名单(dān)，设备国产化(huà)进程加速(sù)，看好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司(sī)份额(é)提升(shēng)，以及存储业务占比较高(gāo)的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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