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　　美光(guāng)公司在华销售的产品未通(tōng)过网络安全(quán)审查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息(xī)，日前，网络安(ān)全审查办公室依(yī)法对美光公司在华销售产品(pǐn)进行了网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查(chá)发(fā)现，美光公(gōng)司产品(pǐn)存在(zài)较严(yán)重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础设施(shī)贪嗔痴慢疑什么意思啊，贪嗔痴慢疑的对应一句供应(yīng)链造(zào)成重大(dà)安全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为(wèi)此，网络(luò)安全审查办公室依(yī)法作(zuò)出不予通(tōng)过(guò)网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)的结论(lùn)。按照《网(wǎng)络(luò)安全法》等法律法规，我(wǒ)国(guó)内(nèi)关键信息基础设(shè)施的(de)运营者(zhě)应停(tíng)止采购美光公(gōng)司(sī)产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对(duì)美(měi)光公司产品进行网络安(ān)全审查，目(mù)的(de)是(shì)防范产品网络安全(quán)问题危(wēi)害国家关键(jiàn)信息基础设(shè)施安全(quán)，是(shì)维护国家安(ān)全的必要措施。中国坚(jiān)定推(tuī)进高水平对(duì)外开放，只(zhǐ)要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链安(ān)全(quán)，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全风险，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民共和国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华人(rén)民共(gòng)和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销贪嗔痴慢疑什么意思啊，贪嗔痴慢疑的对应一句售(shòu)的(de)产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美(měi)光是美国的(de)存(cún)储芯片(piàn)行业龙头，也是(shì)全球(qiú)存储芯片巨头之一(yī)，2022年(nián)收入(rù)来自中国市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美光(guāng)等国(guó)际存储(chǔ)厂商为(wèi)公司(sī)供应商。贪嗔痴慢疑什么意思啊，贪嗔痴慢疑的对应一句p>

　　美光在(zài)江波龙采(cǎi)购(gòu)占(zhàn)比已经显著(zhù)下降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年(nián)美(měi)光(guāng)位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供(gōng)应(yīng)商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大(dà)、第(dì)二大和第三大供应商采(cǎi)购(gòu)金(jīn)额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已(yǐ)经(jīng)在存(cún)储产业链上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波(bō)龙与三(sān)星、美光、西部(bù)数(shù)据等主要存(cún)储晶圆原厂签署了(le)长期合约(yuē)，确(què)保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司在下(xià)游市场的供应优(yōu)势(shì)，公(gōng)司也与国(guó)内国(guó)产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江(jiāng)存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券(quàn)商(shāng)此(cǐ)前就分析，如果美(měi)光(guāng)在中国区销(xiāo)售受到(dào)限制(zhì)，或将(jiāng)导致下游客户(hù)转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成为(wèi)最(zuì)关键(jiàn)、最大量的(de)加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东京(jīng)电子披露，薄膜(mó)沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为(wèi)75％。自(zì)长江存储被加入美(měi)国限制名单，设备国产化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉(chén)积）等相关(guān)公司份额提升(shēng)，以及存储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海(hǎi)（清(qīng)洗(xǐ)）等(děng)收(shōu)入增长。

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