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　　美光公(gōng)司在华(huá)销(xiāo)售的产品未通(tōng)过(guò)网络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前(qián)，网络安全审查低头看我是怎么玩你的，低头看我是怎么弄你的办(bàn)公室依法对美光公司在华(huá)销售产品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产(chǎn)品(pǐn)存在较严重(zhòng)网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应(yīng)链造成重大安全(quán)风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)作出(chū)不予通(tōng)过网络安(ān)全(quán)审查的结(jié)论。按(àn)照(zhào)《网络(luò)安(ān)全法》等法(fǎ)律法规，我国内关键信息基础(chǔ)设施的运营者应停(tíng)止采购(gòu)美光公司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公司(sī)产品进行网络安全审(shěn)查，目的是防(fáng)范产品网络安全问(wèn)题危害(hài)国家关键信息基础设(shè)施(shī)安全(quán)，是维护(hù)国家安全的(de)必(bì)要措(cuò)施。中国坚定推(tuī)进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务(wù)进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施(shī)供(gōng)应链安全(quán)，防(fáng)范产(chǎn)品问(wèn)题隐患造成网络安全风险，维护(hù)国家安全(quán)，依(yī)据《中华(huá)人民共和国国家安(ān)全(quán)低头看我是怎么玩你的，低头看我是怎么弄你的法》《中(zhōng)华人民(mín)共和国网络安全(quán)法》，网络安(ān)全审查办公室(shì)按照《网络(luò)安全审查办法》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实(shí)施网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入(rù)从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根(gēn)据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)低头看我是怎么玩你的，低头看我是怎么弄你的额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司(sī)披露(lù)过美光等国际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经显(xiǎn)著(zhù)下降，至少(shǎo)已经不(bù)是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波(bō)龙第(dì)一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第(dì)二大和第三大供应商采(cǎi)购(gòu)金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波(bō)龙已经(jīng)在存储(chǔ)产业链上(shàng)下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司在(zài)下游市场的供应优势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持良好的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前就分析，如(rú)果美(měi)光在中国(guó)区销售(shòu)受到限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而(ér)采(cǎi)购(gòu)国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分(fēn)析(xī)称(chēng)，长存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂或从中受益。存储器(qì)的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的(de)结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目(mù)前前(qián)沿要刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开支合(hé)计(jì)为75％。自(zì)长江存储被加(jiā)入美国限制名单，设(shè)备(bèi)国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相(xiāng)关公司份额提升，以(yǐ)及存(cún)储业务占(zhàn)比较高的华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

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