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　　美光公司(sī)在华销售的(de)产(chǎn)品(pǐn)未(wèi)通过(guò)网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络(luò)安全审查办(bàn)公(gōng)室依(yī)法对美(měi)光公司(sī)在(zài)华(huá)销售产品(pǐn)进行(xíng)了网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络(luò)安全问题(tí)隐患，对我(wǒ)国(guó)关键信息基础设施供应链造成(chéng)重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依法作出不(bù)予(yǔ)通过(guò)网(wǎng)络安全审查的结(jié)论。按(àn)照《网络安全法》等(děng)法律法规，我国(guó)内关(guān)键信息基础设施(shī)的运营(yíng)者应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公司产(chǎn)品进行网络(luò)安(ān)全审(shěn)查，目的是防(fáng)范(fàn)产品网络(luò)安(ān)全问题危害国家关键信息(xī)基础(chǔ)设施安全，是维护国家安全的(de)必要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国(guó)法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平(píng)台产(chǎn)品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障(zhàng)关键(jiàn)信息基础设(shè)施供应链安(ān)全，防范产(chǎn)品问题隐患造(zào)成网络安全(quán)风险，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民(mín)共和国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华(huá)人民共(gòng)和国网络安全法(fǎ)》，网络安(ān)全审查办公室按照《网络(luò)安全审查(chá)办法》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华销售的(de)产品实(shí)施网(wǎng)络安全审查。

　　美光(guāng)是(shì)美国(guó)的(de)存储芯(xīn)片(piàn)行(xíng)业龙头(tóu)，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光(guāng)等国(guó)际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降(jiàng)，至少已(yǐ)经不(bù)是主要大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美光(guāng)位(wèi)列江波龙第一(yī)大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大(dà)、第(dì)二大和(hé)第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在(zài)存储(chǔ)产业(yè)链上下游建(jiàn)立国内外广泛合(hé)作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署(shǔ)了(le)长期合(hé)约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定切成两半的鸡蛋可以放微波炉吗，微波炉热鸡蛋如何不炸性(xìng)，巩固公司在下游市场的供应优势，公(gōng)司也与(yǔ)国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析(xī)，如果美光在中国(guó)区销(xiāo)售(shòu)受到限制，或将(jiāng)导致下游客户转(zhuǎn)而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻(kè)蚀和(hé)薄(báo)膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过薄(báo)膜沉积(jī)工艺(yì)步骤，同时刻蚀(shí)目(mù)前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开支(zhī)合计(jì)为75％。自长江存(cún)储被(bèi)加(jiā)入美国限制(zhì)名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业(yè)务占比(bǐ)较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入(rù)增长。

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