大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公司在华销售(shòu)的产品未通过网络安全审查(chá)

　　据(jù)网信办消息(xī)，日前，网络安全(quán)审(shěn)查(chá)办公室依法对美光公司在华销售(shòu)产品进行了网络(luò)安全审查(chá)。

　　审查发现，美(měi)光公司(sī)产品存在较严重(zhòng)网络安全(quán)问题隐(yǐn)患，对我国(guó)关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应链造成(chéng)重大安全风(fēng)险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公(gōng)室依法作出不予通过网络安全(quán)审查(chá)的结论(lùn)。按(àn)照《网络安全法》等法律法(fǎ)规(guī)，我国内关键(jiàn)信息基础设施的(de)运营(yíng)者应停止采购(gòu)美(měi)光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公怎敢误佳人的前一句是什么意思，两袖清风怎敢误佳人下一句怎么接司产品进(jìn)行(xíng)网络安(ān)全审查，目的是防范(fàn)产品网络(luò)安(ān)全问题危(wēi)害国家关键信息基础设施安(ān)全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定(dìng)推(tuī)进高水平对外(wài)开放，只(zhǐ)要遵(zūn)守(shǒu)中(zhōng)国法律(lǜ)法规要求，欢迎(yíng)各(gè)国(guó)企业、各类(lèi)平台产品(pǐn)服(fú)务进入中国市场。怎敢误佳人的前一句是什么意思，两袖清风怎敢误佳人下一句怎么接p>

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链(liàn)安全，防范(fàn)产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华(huá)人民(mín)共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络(luò)安全审(shěn)查办公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华(huá)销售的产品实施网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业(yè)龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前(qián)高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公(gōng)司披(pī)露过美光等(děng)国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采(cǎi)购占比已经(jīng)显著下降，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位(wèi)列江波(bō)龙第(dì)一大存(cún)储(chǔ)晶圆供应(yīng)商(shāng)，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大(dà)、第二大和第(dì)三大供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存(cún)储产业链上下游建立(lì)国(guó)内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原(yuán)厂签(qiān)署了(le)长期合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司(sī)在下游市场的供应优势，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合(hé)肥(féi)长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就分(fēn)析(xī)，如果美光在中国区销售受到限制，或将导(dǎo)致下游客(kè)户(hù)转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备厂或从中受益。存储器(qì)的生产已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维的(de)结构转变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为(wèi)最关键、最大(dà)量(liàng)的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉(chén)积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前(qián)前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可(kě)能(néng)会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计(jì)为75％。自长江存(cún)储被加入美国(guó)限制名单，设备国产化进(jìn)程(chéng)加(jiā)速，看(kàn)好拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜(mó)沉(chén)积）等(děng)相关公司份额提升(shēng)，以及(jí)存储业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

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