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　　美(měi)光公(gōng)司在华销售的产品未(wèi)通过(guò)网络安全审查(chá)

　　据网信办消(xiāo)息(xī)，日前(qián)，网络安全(quán)审查办公(gōng)室依法对美光公司(sī)在华销售(shòu)产品进行(xíng)了网络(luò)安(ān)全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在较严(yán)重网络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设施供应链造成重(zhòng)大安全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为(wèi)此，网络安全(quán)审查办公室依法作出(chū)不予通过网络安(ān)全审查的(de)结论。按照《网络安全法》等(děng)法(fǎ)律法规(guī)，我(wǒ)国内关(guān)键信(xìn)息基础设施(shī)的运营者应(安徽合肥瑶海区疫情最新消息 安徽是南方还是北方yīng)停止采购美(měi)光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审(shěn)查，目的是(shì)防范产品网络安全问题危害(hài)国家关键信息基(jī)础(chǔ)设施安全，是维(wéi)护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对(duì)外开放(fàng)，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品(pǐn)服务进(jìn)入中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信网发文称(chēng)，为保(bǎo)障关键(jiàn)信息基础设(shè)施(shī)供应链安(ān)全(quán)，防范产品(pǐn)问(wèn)题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护(hù)国家安(ān)全，依据《中华人民共(gòng)和国国家(jiā)安全(quán)法》《中(zhōng)华人民共和国网络安(ān)全(quán)法》，网络安(ān)全审查办公室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对(duì)美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品实施(shī)网络安全审查(chá)。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球(qiú)存储(chǔ)芯(xīn)片巨头之一，2022年(nián)收入来自(zì)中国(guó)市场收(shōu)入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司(sī)中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国际(jì)存储厂(chǎng)商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经(jīng)显著下(xià)降，至少已经不(bù)是(shì)主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列(liè)江波龙第(dì)一大存储晶圆供应(yīng)商(shāng)，采(cǎi)购约31亿(yì)元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应(yīng)商采购金额(é)占(zhàn)比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下游建安徽合肥瑶海区疫情最新消息 安徽是南方还是北方(jiàn)立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美(měi)光(guāng)、西(xī)部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合(hé)约(yuē)，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应(yīng)优势(shì)，公司也(yě)与(yǔ)国内(nèi)国产存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国(guó)区销(xiāo)售受到限制，或将导(dǎo)致(zhì)下游客户(hù)转而采购(gòu)国外(wài)三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或(huò)从中受(shòu)益(yì)。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉(chén)积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设(shè)备(bèi)需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被加入美国限制名(míng)单(dān)，设备国产化(huà)进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关(guān)公司份额提升，以(yǐ)及存储业(yè)务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

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