大家好，来看(kàn)一则突发消息(xī)。

　　美(měi)光公(gōng)司在华销售的产品(pǐn)未通过网络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审(shěn)查办(bàn)公室(shì)依法(fǎ)对美(měi)光公司在华销(xiāo)售产(cwhile的前后时态口诀，while的前后时态要一致吗hǎn)品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在(zài)较严重网(wǎng)络安全问题隐(yǐn)患，对我国关(guān)键信息基(jī)础设施供应(yīng)链造成重大安全(quán)风险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络(luò)安全审(shěn)查办公(gōng)室依法作出(chū)不予通过网络安全审查(chá)的结论(lùn)。按照(zhào)《网络(luò)安全法(fǎ)》等(děng)法律(lǜ)法规，我(wǒ)国内关(guān)键(jiàn)信息基础设(shè)施的运营者应(yīng)停止采购美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次(cì)对美光公司产(chǎn)品(pǐn)进行网络安全审查，目的是防范(fàn)产品网(wǎng)络(luò)安全问题危害(hài)国家关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设施(shī)安(ān)全，是维(wéi)护(hù)国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定(dìng)推(tuī)进高水平对外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢(huān)迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发(fā)文称(chēng)，为保障(zhàng)关键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐(yǐn)患造成网络(luò)安全风险，维(wéi)护国家(jiā)安全，依据《中华人(rén)民(mín)共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室按(àn)照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安全审(shěn)查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行(xíng)业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司(sī)披露过美光(guāng)等(děng)国际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经显(xiǎn)著(zhù)下降(jiàng)，至少已经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示(shì)， 2021年美(měi)光位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第三大供(gōng)应商采购金额占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储(chǔ)产业(yè)链上下游建立(lì)国(guó)内外广泛合作。2022年年(nián)报显示(shì)，江(jiāng)波龙与三星、美(měi)光、西部数据等主(zhǔ)要(yào)存储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署(shǔ)了长(zhǎng)期合约(yuē)，确(què)保存储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定性，巩固公(gōng)司(sī)在下(xià)游市场的供应优势(shì)，公司(sī)也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉(hàn)长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析(xī)，如果(guǒ)美(měi)光(guāng)在中(zhōng)国区销(xiāo)售受(shòu)到限制，或将(jiāng)导致下游(yóu)客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或(huò)从中受(shòu)益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经(jīng)过薄(báo)膜(mó)沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能(néng)会更深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更多(duō)设备需(xū)求。据东(dōng)京电子(zi)披露(lù)，薄膜(mó)沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入美国(guó)限制名单，设备(bèi)国产化进程(chéng)加(jiā)速(sù)，看好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份(fèn)额提升，以及存储(chǔ)业(yè)务占比较(jiào)高的华海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清(qīng)洗(xǐ)）等(děng)收入增长。

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