大家好，来看一则突发(fā)消息。

　　美光公(gōng)司(sī)在华销售(shòu)的产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美(měi)光公司(sī)在华(huá)销售产品(pǐn)进(jìn)行(xíng)了网络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发(fā)现，美光(guāng)公司产品存在较严重(zhòng)网络安全问(wèn)题隐患，对我国关键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链造成(chéng)重大安全风险，影响我国国(guó)家安全。为此，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室依法作出(chū)不予通过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网(wǎng)络(luò)安全法》等法律法规(guī)，我国内关键信息基础设施的运营(yíng)者应(yīng)停止采购(gòu)美光公司(sī)产品。

　　此次对美(měi)光公司(sī)产品(pǐn)进(jìn)行网络安全审查，目的(de)是防范产(chǎn)品(pǐn)网络安全(quán)问题危(wēi)害国家(jiā)关键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外(wài)开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各类平作法与做法的区别，作法与做法的区别是什么台产(chǎn)品(pǐn)服务进入中(zhōng)国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为(wèi)保(bǎo)障关键信息基础设(shè)施供应链安全，防范产品问题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共和国(guó)国家(jiā)安全法》《中华人民共和国(gu作法与做法的区别，作法与做法的区别是什么ó)网络(luò)安(ān)全法》，网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查办公室按照《网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施(shī)网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光(guāng)在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公(gōng)司(sī)披(pī)露(lù)过美光(guāng)等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下(xià)降(jiàng)，至(zhì)少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光(guāng)位列(liè)江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商(shāng)，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大(dà)和(hé)第三(sān)大供应商(shāng)采(cǎi)购金额(é)占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已(yǐ)经(jīng)在存储产(chǎn)业链上(shàng)下游建立(lì)国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数(shù)据(jù)等主要(yào)存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确(què)保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供(gōng)应优势，公(gōng)司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美光在(zài)中(zhōng)国区(qū)销(xiāo)售(shòu)受到限制，或将导(dǎo)致(zhì)下游客户(hù)转而(ér)采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等(děng)竞(jìng)对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜成为最(zuì)关(guān)键、最大量(liàng)的加工(gōng)设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生(shēng)更多设(shè)备需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合(hé)计为(wèi)75％。自长江存储被加入美(měi)国限制(zhì)名单(dān)，设备国(guó)产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司份(fèn)额提(tí)升，以及存储业务(wù)占比较高的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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