大家好，来看一(yī)则突(tū)发消(xiāo)息。

　　美光公司(sī)在(zài)华销售的产品未通过网络安(ān)全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对(duì)美光公司在华销(xiāo)售产品进(jìn)行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光(guāng)公(gōng)司产品存在较严(yán)重网络安全问题隐患，对我国(guó)关键信(xìn)息基础设施(shī)供应链造(zào)成重大安全风(fēng)险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办(bàn)公室依法作出不予通过网络(luò)安全审查的结(jié)论(lùn)。按(àn)照《网络一个男人出轨了还爱自己的老婆吗安全法》等(děng)法律(lǜ)法规，我国内关键信(xìn)息基础设(shè)施(shī)的运(yùn)营者(zhě)应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公司(sī)产(chǎn)品进行网络安(ān)全审查，目的是防范产(chǎn)品(pǐn)网络安(ān)全问题危害(hài)国(guó)家关键信(xìn)息基础设施安全，是维护(hù)国家(jiā)安全的必(bì)要措施。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高水(shuǐ)平对外开(kāi)放(fàng)，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中(zhōng)国法(fǎ)律法(fǎ)规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务(wù)进入(rù)中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保(bǎo)障(zhàng)关键(jiàn)信息基础设施供应(yīng)链安(ān)全(quán)，防范产(chǎn)品(pǐn)问(wèn)题隐患造成(chéng)网络安全(quán)风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人民共和(hé)国国家安全法》《中华人民共和国网络(luò)安全法(fǎ)》，网络安全(quán)审查办(bàn)公室(shì)按照《网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产(chǎn)品(pǐn)实(shí)施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行一个男人出轨了还爱自己的老婆吗业龙头，也是全球存储芯(xīn)片(piàn)巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从此前(qián)高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著(zhù)下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第(dì)一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一(yī)大、第二大和(hé)第(dì)三(sān)大(dà)供应商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已(yǐ)经在(zài)存储产业链上下游建立国内(nèi)外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙(lóng)与(yǔ)三(sān)星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶(jīng)圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公司在下游市场(chǎng)的(de)供(gōng)应优势(shì)，公司也(yě)与国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉(hàn)长江(jiāng)存(cún)储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持(chí)良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美(měi)光在中国区销售受到限制，或将导致下(xià)游客(kè)户(hù)转而采购国(guó)外(wài)三星(xīng)、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长鑫的(de)上游设备厂或从中受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关(guān)键(jiàn)、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺(yì)步骤，同(tóng)时刻蚀目(mù)前(qián)前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能(néng)会更深的孔或(huò)者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多(duō)设备需求(qiú)。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开(kāi)支(zhī)合计为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被加入美(měi)国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提升，以及存(cún)储业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清(qīng)洗）等收入增长。

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