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　　美光公(gōng)司在华销售的产品未通(tōng)过网(wǎng)络安(ān)全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日(rì)前，网络安全审(shěn)查办公室依法对美光公司在华销售(shòu)产品进行了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在较严重网络安全问(wèn)题隐患，对(duì)我(wǒ)国(guó)关键信息基(jī)础设施供应链造(zào)成重大(dà)安全(quán)风(fēng)险，影响我国国家安全。为此，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依法作(zuò)出(chū)不(bù)予通过网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查的结论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息基(jī)础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公(gōng)司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公(gōng)司(sī)产品进行(xíng)网络安全审查，目的是防(fáng)范产品网络安全(quán)问题(tí)危害国家关键(j宋朝二府三司分别是什么，二府三司分别是什么东府和西府iàn)信息基础设施安全(quán)，是维护国家(jiā)安全的(de)必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平(píng)对外(wài)开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服务(wù)进入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信网发文(wén)称，为保(bǎo)障关键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患(huàn)造成(chéng)网络安全风险，维护国家(jiā)安全，依据(jù)《中华(huá)人民共(gòng)和国国家安(ān)全法》《中华人民共和(hé)国(guó)网络安全(quán)法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网络安(ān)全审查办法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业(yè)龙头(tóu)，也是(shì)全(quán)球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收(shōu)入(rù)从(cóng)此前高峰57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维存储等公(gōng)司(sī)披露过美光(guāng)等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙采购占比已经(jīng)显著下(xià)降，至少已经不(bù)是主(zhǔ)要(yào)大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美(měi)光位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和(hé)第三大供(gōng)应商(shāng)采购金额占(zhàn)比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游建立国内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报(bào)显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)原厂签署了长期合约，确(què)保存(cún)储晶圆供应的(de)稳定性，巩(gǒng)固(gù)公司在下游(yóu)市场的(de)供应优(yōu)势，公(gōng)司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前(qián)就分析，如果美(měi)光(guāng)在(zài)中国区销售受到限制，或将(jiāng)导(dǎo)致下游客(kè)户(hù)转而采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国(guó)内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂或从(cóng)中受(shòu)益(yì)。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的(de)加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需(xū)要经过薄膜沉(chén)积(jī)工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生(shēng)更多设备需求。据东(dōng)京电子披露(lù)，薄(báo)膜沉(chén)积设备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资(zī)宋朝二府三司分别是什么，二府三司分别是什么东府和西府本开支合计为(wèi)75％。自长江存(cún)储(chǔ)被加入美(měi)国限制名单，设备国产化进程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提升，以及存(cún)储业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入增长。

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