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　　美光公司在华(咋能把自己弄成小喷泉呢，如何把女朋友弄成小喷泉huá)销(xiāo)售的产品未通过网络安全审(shěn)查(chá)

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安(ān咋能把自己弄成小喷泉呢，如何把女朋友弄成小喷泉)全审查办公室依法对美光公司在华销售产(chǎn)品进行(xíng)了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存在(zài)较(jiào)严重网(wǎng)络(luò)安全问题隐患(huàn)，对我国关键(jiàn)信息基础设(shè)施供应链造成重大(dà)安全风险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络安全审查(chá)办公室依法作出不予通(tōng)过(guò)网络安(ān)全审查的(de)结论。按照(zhào)《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国内关键信息基础设施的运营(yíng)者(zhě)应停止采(cǎi)购(gòu)美(měi)光公司产(chǎn)品。

　　此次对(duì)美光(guāng)公司产品进(jìn)行网络安全审查，目的是防范产(chǎn)品(pǐn)网络(luò)安(ān)全问(wèn)题危(wēi)害国家(jiā)关键信(xìn)息基础设施安全，是维护(hù)国家(jiā)安全的必要措施(shī)。中(zhōng)国坚定推进高(gāo)水平(píng)对外开(kāi)放(fàng)，只要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法(fǎ)规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称(chēng)，为保障(zhàng)关键信(xìn)息基础设施(shī)供应链安(ān)全，防范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患(huàn)造成(chéng)网络安全风险，维护国家安全(quán)，依据《中华人民共和(hé)国国(guó)家安(ān)全法》《中华人民(mín)共和国网络安(ān)全法》，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查办(bàn)公(gōng)室按(àn)照《网络安全审(shěn)查办(bàn)法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美(měi)光是美(měi)国的存储芯片行业龙头，也(yě)是全球(qiú)存储芯片巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入来(lái)自中(zhōng)国市(shì)场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波(bō)龙、佰维存(cún)储(chǔ)等公司披露过(guò)美光(guāng)等国(guó)际存储厂商(shāng)为公司供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙采购占比已(yǐ)经显著(zhù)下降，至少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存储晶圆(yuán)供应商，采(cǎi)购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大(dà)、第二大(dà)和第三大供(gōng)应商采(cǎi)购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业(yè)链上下游建立国(guó)内外广泛(fàn)合(hé)作。2022年年(nián)报显示，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署了(le)长(zhǎng)期(qī)合约，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固(gù)公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥(féi)长鑫保持(chí)良好的合(hé)作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光在(zài)中(zhōng)国区销售受到(dào)限制，或将导致下(xià)游(yóu)客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最(zuì)大量的(de)加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的(de)孔或者(zhě)沟槽，催生更多设(shè)备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自(zì)长江存(cún)储被加(jiā)入美(měi)国限(xiàn)制名单，设备国产(chǎn)化进(jìn)程加(jiā)速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公(gōng)司份(fèn)额提升，以及存储业务占比(bǐ)较(jiào)高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

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