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　　美光(guāng)公司在华销售的产(chǎn)品未通过网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)

　　据(jù)网信(xìn)办消息，日前(qián)，网络安(ān)全(quán)审查办公室依法(fǎ)对美(měi)光公司在(zài)华(huá)销(xiāo)售(shòu)产品(pǐn)进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在(zài)较严重网络(luò)安全问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键信(xìn)息基(jī)础设施供应(yīng)链(liàn)造成重大(dà)安全风险，影响我国(guó)国家安全。为(wèi)此，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审(shěn)查办公室(shì)依法(fǎ)作出不予通(tōng)过网(wǎng)络(luò)安全审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规(guī)，我国内关键信息基础(chǔ)设施的运营者应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络(luò)安全审查，目的是(shì)防范产品网络安全问题危害(hài)国家关(guān)键信(xìn)息基础设施安全，是维护国家(jiā)安全的必(bì)要措施。中国(guó)坚定(dìng)推(tuī)进高水平对外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平(píng)台产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障(zhàng)关键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防(fáng)范产品(pǐn)问(wèn)题隐患(huàn)造成网络安(ān)全风险，维护国家安全(quán)，依据《中华(huá)人(rén)民共(gòng)和国国(guó)家安(ān)全法》《中华人民共和国网络安全(quán)法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网络安全审查办(bàn)法》，对(duì)美(měi)光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安全审查(chá)。

　　美(měi)光是美(měi)国的存储(chǔ)芯片(piàn)行(xíng)业(yè)龙(lóng)头，也是全球存储芯片(piàn)巨(jù)头之一，2022年收入来自中(zhōng)国(guó)市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过(guò)美光等国际存储(chǔ)厂商为(w130万韩元等于多少人民币，130万韩元等于多少美元èi)公司供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在江波龙(lóng)采购占比已经显著下(xià)降，至(zhì)少(shǎo)已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波(bō)龙第一大存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)供(gōng)应商，采(cǎi)购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一(yī)大、第二大和第三大供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在(zài)存储产(chǎn)业链(liàn)上(shàng)下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署(shǔ)了长期合约(yuē)，确保存(cún)储晶(jīng)圆供应的(de)稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公(gōng)司在下游市场的供应优势，公司也(yě)与国内国产存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫(xīn)保(bǎo)持良好(hǎo)的(de)合(hé)作。

　　有券商此前就分(fēn)析(xī)，如果美光在中(zhōng)国区销售受到(dào)限制，或将导致下游客户转而(ér)采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存(cún)130万韩元等于多少人民币，130万韩元等于多少美元储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演(yǎn)进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜(mó)成(chéng)为最关键、最(zuì)大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经(jīng)过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可能会更(gèng)深(shēn)的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国130万韩元等于多少人民币，130万韩元等于多少美元限制名单(dān)，设备(bèi)国(guó)产化(huà)进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提升，以及(jí)存储业务占比较(jiào)高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入(rù)增(zēng)长。

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