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中国的中西部地区是指哪几个省市,中国中西部是哪些地方

中国的中西部地区是指哪几个省市,中国中西部是哪些地方 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好(hǎo),来(lái)看一(yī)则突发消息。

  美光公司在华销售的产品未通(tōng)过网络安全审(shěn)查

  据网信办消息,日前,网(wǎn中国的中西部地区是指哪几个省市,中国中西部是哪些地方g)络安全审查办公室依法对美光公司在华销售产品进行了网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查(chá)。

  审查发现,美(měi)光(guāng)公司产(chǎn)品存在较严重网络安(ān)全问题隐患,对我(wǒ)国关键信息基础设(shè)施(shī)供应链造成重(zhòng)大安全风险,影响我国国家安全。为此(cǐ),网(wǎng)络安全审查办公室依法作出不(bù)予(yǔ)通过网络安全审(shěn)查的结论(lùn)。按照《网(wǎng)络安(ān)全法》等法律(lǜ)法规,我国内关(guān)键信息基础设施的运营者应停(tíng)止采购美光公司产品。

  此次对美(měi)光(guāng)公司产品进(jìn)行网络安全审查,目的是防范产品网络(luò)安全问题危害(hài)国家关(guān)键信息基(jī)础设施安全,是(中国的中西部地区是指哪几个省市,中国中西部是哪些地方shì)维护国(guó)家安全的(de)必(bì)要措施。中国(guó)坚(jiān)定推进高水平对外开放,只要遵守(shǒu)中国法律法规要(yào)求,欢迎各(gè)国企(qǐ)业、各(gè)类平台产品(pǐn)服务进入中(zhōng)国市场。

  半导体(tǐ)突发(fā)!中国出手:停止采购!

  3月31日,中国网(wǎng)信网发文称,为保(bǎo)障关键信息基础设施供应链安全,防范产(chǎn)品问题(tí)隐患造成网(wǎng)络安全风险,维护国家安全(quán),依据《中华人民共(gòng)和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国网络安全法(fǎ)》,网络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审(shěn)查办法》,对美光公(gōng)司(Micron)在华销售的产品实施网络安全审查。

  半导体突发(fā)!中国出手:停止采购!

  美光(guāng)是美国的存储(chǔ)芯片行(xíng)业龙(lóng)头(tóu),也是全(quán)球存储芯片巨头之(zhī)一,2022年收入来自(zì)中国市场收入从此前高峰57%降至(zhì)2022年约11%。根据(jù)市场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份(fèn)额约(yuē)为 96.76%,三星(xīng)电(diàn)子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全球 DRAM (内存(cún))市场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35%。

  A股上市公司中,江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披(pī)露(lù)过美光等国(guó)际存储厂商为(wèi)公(gōng)司(sī)供应商(shāng)。

  美光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下降,至少已经不(bù)是主(zhǔ)要大供应商。

  公告显示, 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商,采购约31亿元,占比(bǐ)33.52%;2022年,江波龙第一大、第二(èr)大和第三大(dà)供应商(shāng)采(cǎi)购(gòu)金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目(mù)前江波龙已经在(zài)存储产业(yè)链上下游建立(lì)国内(nèi)外广泛合作。2022年(nián)年报显示,江波龙与(yǔ)三星、美光、西部(bù)数(shù)据等主要存储晶圆原厂签署了(le)长期(qī)合约,确(què)保存储晶圆供应的稳定性,巩固公司(sī)在下游市场的(de)供应优(yōu)势,公司也与国内国产存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作(zuò)。

  有券商此前就分析,如果美光在中(zhōng)国区销售受到限制(zhì),或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士(shì),国(guó)内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞(jìng)对产(chǎn)品

  分析称(chēng),长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的(de)上游(yóu)设备厂或(huò)从中受益(yì)。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài),2 维到(dào)3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺(yì)步骤,同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到(dào) 60:1的深孔,未来可能会更深的孔或者沟槽,催(cuī)生(shēng)更多设备(bèi)需(xū)求。据东京电子披露,薄膜沉(chén)积(jī)设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75%。自长江存(cún)储被加入美国限制名单,设(shè)备国产化进程加速,看好拓荆科(kē)技(jì)(薄(báo)膜(mó)沉积(jī))等相(xiāng)关公司份额提升,以及存储业务占比较高的(de)华(huá)海清科(CMP)、盛(shèng)美上海(清洗)中国的中西部地区是指哪几个省市,中国中西部是哪些地方等收入增长。

 

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