大家好，来看一则突发(fā)消息(xī)。

　　美光公司在华销售(shòu)的产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息，日前，网络安(ān)全审(shěn)查办公室依(yī)法对(duì)美光公司在华销(xiāo)售产(chǎn)品进行了网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审查(chá)发(fā)现，美光公司产品(pǐn)存在较(jiào)严重网(wǎng)络安(ān)全问题隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链造成重大安全风险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络(luò)安全审查(chá)的结论。按照《网络(luò)安全(quán)法》等(děng)法律法(fǎ)规，我国内关键信(xìn)息基础(chǔ)设施的运(yùn)营者应停(tíng)止采购(gòu)美(měi)光公司产品。

　　此次对(duì)美(měi)光(guāng)公司产品进行网络安全审查(chá)，目(mù)的是防范产品网络安全(quán)问题危害国家关键信息基础设施安全，是维护国家安全的(de)必要措施。中国坚(jiān)定推进高(gāo)水(shuǐ)平对(duì)外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要(yào)求，欢(huān)迎各国企业(yè)、各类平台产(chǎn)品服务进入(rù)中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保障关键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防范产品问(wèn)题隐(yǐn)患造成(chéng)网络安全(quán)风险，维护(hù)国家安全，依据(jù)《中华人(rén)民共(gòng)和(hé)国国家安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共和国网(wǎng)络(luò)安(ān)全法》，网络安(ān)全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安(ān)全审查(chá)。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市场收(shōu)入(rù)从此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司(sī)中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等公司(sī)披露过(guò)美光(guāng)等国际(jì)存(cún)储厂(chǎng)商为(wèi)公司供(gōng)应商(shā农是什么部首什么结构的字，农是什么部首什么结构的ng)。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙采购农是什么部首什么结构的字，农是什么部首什么结构的占比已经显著下降，至少已(yǐ)经不(bù)是主要大供应商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美光(guāng)位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和(hé)第三大供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了(le)长期合约(yuē)，确保存储(chǔ)晶圆(yuán)供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下(xià)游(yóu)市场的供(gōng)应优势，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光在(zài)中国区销售受到限制(zhì)，或将导致(zhì)下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储(chǔ)、长鑫存(cún)储(chǔ)等(děng)竞(jìng)对(duì)产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备厂或(huò)从(cóng)中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜(mó)沉积工艺(yì)步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生(shēng)更多设备需求。据东京电子披(pī)露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加(jiā)入美国限(xiàn)制名单，设(shè)备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技(jì)（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业(yè)务(wù)占(zhàn)比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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