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下士军衔是什么级别 下士是班长还是副排长

下士军衔是什么级别 下士是班长还是副排长 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发消息(xī)。

  美光(guāng)公司在华销售的产品未通过网络安全审查

  据(jù)网信办消息,日前(qián),网络安全(quán)审查办公室依法对美光公(gōng)司(sī)在华销售产品(pǐn)进行了网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)。

  审查(chá)发现,美光公司产(chǎn)品存在较(jiào)严重网络安(ān)全问题(tí)隐患,对我国关键信息(xī)基础设施供应链造成重大安全(quán)风险,影(yǐng)响我国(guó)国家安全。为(wèi)此,网络安(ān)全(quán)审查办公室依法作出不予通(tōng)过网络安全审查(chá)的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规(guī),我(wǒ)国(guó)内(nèi)关键信息基础设施的运营者应(yīng)停(tíng)止采购(gòu)美光公司(sī)产(chǎn)品。

  此次对美光公司产品进(jìn)行(xíng)网络安全审查(chá),目的是防范产品网络安全(quán)问(wèn)题(tí)危害国家关键信息基础设(shè)施安全,是维护国家安全的必要措(cuò)施。中国(guó)坚定推进高(gāo)水平对外开放,只要遵(zūn)守中国法律法规(guī)要求,欢迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服(fú)务(wù)进入(rù)中国(guó)市场。

  半导(dǎo)体突发(fā)!中(zhōng)国出手:停止采购!

  3月31日,中(zhōng)国网信网发文(wén)称,为保(bǎo)障(zhàng)关(guān)键信(xìn)息基础设施(shī)供应链安全,防范产品问题隐患造成网络安全风险,维护国家安全,依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》,网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》,对美光公司(Micron)在华销(xiāo)售的产(chǎn)品实施网络安全(quán)审查(chá)。

  半导体突(tū)发!中国(guó)出手:停(tíng)止采购!

  美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头,也是全(quán)球存储芯片巨头(tóu)之一,2022年收(shōu)入来自中国市(shì)场收入从此前高峰57%降(jiàng)至2022年约11%。根据(jù)市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统(tǒng)计,2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光在(zài)全球(qiú) DRAM (内(nèi)存)市场份额约为 94.35%。

  A股上市公司中(zhōng),江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美光(guāng)等国际存(cún)储厂商为公司下士军衔是什么级别 下士是班长还是副排长(sī)供应商。

  美光在江波龙采购占比已经显著下降,至(zhì)少已经(jīng)不是主要大供(gōng)应商。

  公告显示, 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存(cún)储晶圆供(gōng)应(yīng)商,采购约31亿元,占(zhàn)比33.52%;2022年,江波龙第一(yī)大、第二(èr)大和第三大供(gōng)应(yīng)商采购金额占比分别是(shì)26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目前江波龙已经在存储产业链上下游建(jiàn)立(lì)国(guó)内(nèi)外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显示,江波(bō)龙与三(sān)星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂签署(shǔ)了长期合约,确保(bǎo)存储晶圆供应(yīng)的稳定(dìng)性,巩(gǒng)固(gù)公司在下游市场的(de)供应优势,公司也与(yǔ)国内(nèi)国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存(cún)储、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持(chí)良好(hǎo)的合作。

  有(yǒu)券商(shāng)此(cǐ)前就分析(xī),如果美光在中国区销(xiāo)售受到(dào)限制,或将(jiāng)导致下游客户转(zhuǎn)而采购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力士,国内长江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞对(duì)产(chǎn)品

  分析称,长存、长鑫(xīn)的上游设备(bèi)厂(chǎng)或从中受(shòu)益。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代,2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大(dà)量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜(mó)沉积工艺步骤,同时刻蚀目前前沿要刻到 60:1的深(shēn)孔,未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽,催生更(gèng)多(duō)设备需(xū)求。据东京电(diàn)子披(pī)露,薄膜(mó)沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计(jì)为75%。自长江存储被加(jiā)入美国(guó)限(xiàn)制名单,设备(bèi)国(guó)产(chǎn)化进程(chéng)加(jiā)速(sù),看好拓(tuò)荆科技(jì)(薄(báo)膜(mó)沉积)等相关公司份额提升(shēng)下士军衔是什么级别 下士是班长还是副排长,以及存储业务(wù)占比较高(gāo)的华海清科(CMP)、盛美上海(清(qīng)洗)等收入(rù)增长。

 

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