大(dà)家好(hǎo)，来看一则突发(fā)消息(xī)。

　　美光公司在华销售(shòu)的(de)产品未通过(guò)网络安全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依法对美光公司在(zài)华销售产品进行了(le)网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存(cún)在较严重网络安全问题隐患，对我国(guó)关键信息基础设施(shī)供应(yīng)链造(zào)成(chéng)重大(dà)安全(quán)风险，影响我国国日本最想干掉的国家，日本最恨哪个国家家安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室(shì)依法作出不予通过网络安(ān)全审(shěn)查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规(guī)，我(wǒ)国内关(guān)键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施的运营(yíng)者(zhě)应停止采购美光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的(de)是防(fáng)范产(chǎn)品(pǐn)网络安全问题危害国家关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施安全，是维护国(guó)家安全(quán)的(de)必要措(cuò)施。中国坚定推(tuī)进高水(shuǐ)平对外(wài)开放，只要遵(zūn)守中(zhōng)国(guó)法律法规(guī)要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网(wǎng)发文称(chēng)，为保障关键信(xìn)息基础(chǔ)设施(shī)供应链安全，防范(fàn)产品问(wèn)题隐(yǐn)患造成(chéng)网(wǎng)络安全风险，维(wéi)护(hù)国家安(ān)全，依(yī)据《中华人(rén)民共(gòng)和国国家安(ān)全(quán)法》《中华人民共(gòng)和(hé)国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室按(àn)照《网络(luò)安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品(pǐn)实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是(shì)美国(guó)的(de)存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙头，也是全(quán)球存(cún)储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自中国市(shì)场(chǎng)收入从此(cǐ)前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年(nián)日本最想干掉的国家，日本最恨哪个国家约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光(guāng)等(děng)国(guó)际存(cún)储厂商(shāng)为公司(sī)供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至(zhì)少(shǎo)已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一(yī)大存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大(dà)和第三大(dà)供应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业链上下(xià)游建立(lì)国内(nèi)外广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报(bào)显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等(děng)主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司(sī)在下游市场的(de)供应优势，公司也与国(guó)内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持良(liáng)好的(de)合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如(rú)果美(měi)光在中国区销(xiāo)售受到限制，或将(jiāng)导致下(xià)游客(kè)户转(zhuǎn)而采购(gòu)国外(wài)三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存(cún)储器的(de)生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结(jié)构转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀(shí)和薄膜(mó)成为最关键、最大量(liàng)的(de)加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目(mù)前前沿(yán)要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需(xū)求。据东(dōng)京(jīng)电子披(pī)露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制名单，设备国产化进(jìn)程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升，以及存储业务(wù)占比较(jiào)高的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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