大家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通过网络安(ān)全审查

　　据网信(xìn)办(bàn)消(xiāo)息，日(rì)前(qián)，网络安全审查(chá)办公室依法对美光公司在华销售产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络安全问题隐患，对(duì)我国关键信息(xī)基(jī)础设(shè)施供应链造成重大安全(quán)风(fēng)险，影响我国国(guó)家安(ān)全。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络(luò)安全审查的(de)结论。按照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律法规，我国内(nèi)关键信息基础(chǔ)设施的运营(yíng)者应停(tíng)止采购美(měi)光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络安全审查中国内战打了几年，中国内战打了几年时间，目的是防(fáng)范产品网(wǎng)络(luò)安全问题危(wēi)害国家关键信息(xī)基础设(shè)施安全，是维护国家安全的必要措施(shī)。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高水平对外开(kāi)放，只要遵守(shǒu)中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台(tái)产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保障关(guān)键信息基础设施供应链(liàn)安全，防范产品问(wèn)题隐(yǐn)患(huàn)造成网络安(ān)全(quán)风险，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民共和国(guó)国(guó)家安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共(gòng)和国网络安全法》，网络(luò)安全审查办(bàn)公(gōng)室按照《网络安全(quán)审查办(bàn)法》，对美(měi)光公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的产品实(shí)施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片(piàn)行业龙头，也(yě)是(shì)全球存(cún)储(chǔ)芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自中中国内战打了几年，中国内战打了几年时间国市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星(xīng)电子、 铠侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过(guò)美光等国际存储厂(chǎng)商为公司(sī)供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在江波龙(lóng)采(cǎi)购占(zhàn)比已经显著(zhù)下(xià)降，至少已经不是主要(yào)大供应商(shāng)。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供(gōng)应(yīng)商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大(dà)和第三大(dà)供应商采购金额占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波(bō)龙已经在(zài)存(cún)储产业链上下(xià)游建(jiàn)立(lì)国内(nèi)外广泛(fàn)合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署了长期合(hé)约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固(gù)公司(sī)在下游市场的供应优势，公(gōng)司(sī)也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保(bǎo)持(chí)良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光在中国区(qū)销售受到(dào)限制，或将(jiāng)导致下(xià)游客户转而采购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长鑫的(de)上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最(zuì)关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会(huì)更深的(de)孔或(huò)者(zhě)沟(gōu)槽，催生更多设(shè)备需求。据东(dōng)京(jīng)电子披(pī)露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开支(zhī)合(hé)计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设(shè)备国(guó)产化进程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜沉积(jī)）等(děng)相关公(gōng)司(sī)份额提(tí)升(shēng)，以及(jí)存储业(yè)务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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