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　　美光公司(sī)在华销售(shòu)的(de)产品未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息(xī)，日前，网(wǎng)络(luò)安全审查办(bàn)公室依法对美(měi)光(guāng)公司在(zài)华销售产(chǎn)品(pǐn)进行了(le)网络安全审查(chá)。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光公司产品存(cún)在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国(guó)关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设施供应链造成重大(dà)安全风险，影响我国(guó)国家安全。为此，网络安全审查办公室依法(fǎ)作出(chū)不予通过网络安(ān)全审查的(de)结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运营(yíng)者(zhě)应停止采购美光(guāng)公(gōng)司产品。

　　此次对美光(guāng)公(gōng)司产品进行(xíng)网络安全审(shěn)查，目的(de)是防范产品网络安(ān)全(quán)问题危害国(guó)家关键信息(xī)基(jī)础设(shè)施安全，是(shì)维(wéi)护国家安全(quán)的必要(yào)措施。中国坚定推进高水平对外(wài)开放(fàng)，只(zhǐ)要(yào)遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人民共和国国(guó)家安(ān)全法(fǎ)》《中华人民共和(hé)国网(wǎng)络安全法(fǎ)晚上睡觉抹护肤品好还是不好，晚上睡觉抹护肤品好还是不好》，网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)办(bàn)公(gōng)室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安全(quán)审查。

　　美光是(shì)美(měi)国(guó)的存储芯片行业龙(lóng)头，也(yě)是全(quán)球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之一(yī)，2022年收入来自中(zhōng)国市场(chǎng)收入从此前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市场咨询(xún)机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全(quán)球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公司披(pī)露(lù)过美(měi)光等国际(jì)存储厂商(shāng)为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经(jīng)显著(zhù)下降，至(zhì)少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大(dà)和(hé)第三大供应(yīng)商采购金额占比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已(yǐ)经在(zài)存储(chǔ)产业(yè)链上下游建(jiàn)立国(guó)内外(wài)广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波(bō)龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳(wěn)定性，巩固公司(sī)在下游市场(chǎng)的供应优势，公司也与(yǔ)国内国(guó)产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江(jiāng)存(cún)储、合肥长鑫保持(chí)良好的(de)合作晚上睡觉抹护肤品好还是不好，晚上睡觉抹护肤品好还是不好。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光(guāng)在中国(guó)区(qū)销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫存储等(děng)竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游设备厂(chǎng)或(huò)从中受益(yì)。存储(chǔ)器的生产已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关(guān)键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可(kě)能会(huì)更深(shēn)的(de)孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支(zhī)合计为75％。自长江(jiāng)存储被(bèi)加入美国(guó)限(xiàn)制名单，设(shè)备国产(chǎn)化进(jìn)程加速，看好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提升(shēng)，以(yǐ)及存储业(yè)务占比(bǐ)较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等(děng)收入(rù)增长。

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