大家好(hǎo)，来看(kàn)一则(zé)突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通过网(wǎng)络安全(quán)审查

　　据网信办消息(xī)，日(rì)前，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法对(duì)美光公司在华销(xiāo)售产品进行了网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品(pǐn)存在较(jiào)严(yán)重网络安全问题(tí)隐患，对我国(guó)关键信息基础设施供应链造(zào)成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国(guó)家安全。为此，网络安(ān)全(quán)审查办公室(shì)依法作出不予通(tōng)过网络安全(quán)审(shěn)查的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施(shī)的运(yùn)营者(zhě)应停止采购美光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美光公司(sī)产品进行网络安全(quán)审查，目的(de)是防范产品网络安(ān)全问题危害国家关键信息基础设施安全，是(shì)维护国家安全(quán)的必(bì)要措施。中(zhōng)国(guó)坚定(dìng)推进高水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只要(yào)遵守(shǒu)中国(guó)法律法规要求，欢迎(yíng)各(gè)国企业(yè)、各类平台(tái)产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文(wén)称，为保障关键信息(xī)基础设施供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐患造(zào)成网络安(ān)全风险，维护国家(jiā)安(ān)全，依据(jù)《中华人民(mín)共和国国(guó)家安全法》《中华人民(mín)共和(hé)国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按照(zhào)《网(wǎng)络安全审查办(bàn)法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的产(chǎn)品实施网络安全(quán)审查(chá)。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来(lái)自中国市场(chǎng)收入从(cóng)此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司披露过美光(guāng)等国(guó)际存储厂商为公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美(měi)光(guāng)在江(jiāng)波(bō)龙采购占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下(xià)降，至少已(yǐ)经不是主要(yào)大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大(dà)存储晶(jīng)圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大、第二大和第三大(dà)供应商(shāng)采(cǎi)购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已经(jīng)在(zài)存储产业链上下(xià)游(yóu)建(jiàn)立国(guó)内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要(yào)存储晶(jīng)圆原厂签署了长期(qī)合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下(xià)游市场的供(gōng)应优势，公(gōng)司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此50g是几两 50g是一两吗前就分析，如果美光(guāng)在中国(guó)区销(xiāo)售受到限制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫(xīn)的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的(de)生(shēng)产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的(de)结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最大(dà)量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过薄(báo)膜沉积工艺步(bù)骤，同(tóng)时刻蚀目(mù)前前(qián)沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可(kě)能会更(gèng)深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄(báo)膜(mó)沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。50g是几两 50g是一两吗自长江存(cún)储(chǔ)被加入美国(guó)限制名(míng)单，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等(děng)相关公(gōng)司份额提升，以及存(cún)储业务占比(bǐ)较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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