大家好(hǎo)，来看一(yī)则(zé)突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售的(de)产品未(wèi)通(tōng)过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查(chá)办公室(shì)依法对美(měi)光公(gōng)司(sī)在华销售(shòu)产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司(sī)产品存在较严重(zhòng)网络安全问(wèn)题隐患(huàn)，对我国(guó)关键(jiàn)信息基础设(shè)施供应(yīng)链(liàn)造成重大安全风险，影响我国国家安全(quán)。为此，网络(luò)安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)作出不予通过(guò)网络安全审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国(guó)内关键(jiàn)信息基础设施的运(yùn)营者应(yīng)停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次原生家庭是指离异吗，为什么说原生家庭可怕(cì)对美光公司产(chǎn)品进行网络安全审查，目的是(shì)防(fáng)范产(chǎn)品网络安全问题危害国家(jiā)关键信息基础设(shè)施安全，是维(wéi)护(hù)国家(jiā)安全的必要措(cuò)施。中国坚(jiān)定推进(jìn)高水平对外开放，只要(yào)遵守中国(guó)法律法规要求(qiú)，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服(fú)务(wù)进入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基础设施供应链安全，防范产品问题(tí)隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国家(jiā)安全，依(yī)据《中华人民共和(hé)国国家安全(quán)法》《中华人民(mín)共和国(guó)网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络(luò)安全审查办法》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产品实施(shī)网络(luò)安全审查。

　　美(měi)光是美国(guó)的(de)存储芯(xīn)片(piàn)行业龙头(tóu)，也是全球存储(chǔ)芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国(guó)市场收入从此前高(gāo)峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公(gōng)司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比已经(jīng)显著下降(jiàng)，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供(gōng)应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三(sān)大供应商采购(gòu)金(jīn)额(é)占比分别是26.原生家庭是指离异吗，为什么说原生家庭可怕28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在(zài)存储产业链上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三(sān)星、美光、西部(bù)数据等主要(yào)存储晶(jīng)圆原(yuán)厂(chǎng)签(qiān)署(shǔ)了长期合(hé)约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市(shì)场(chǎng)的供应优势(shì)，公(gōng)司(sī)也与(yǔ)国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分(fēn)析(xī)，如果美光在中国区(qū)销售受到限(xiàn)制，或将(jiāng)导致下游客(kè)户转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存(cún)储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受(shòu)益(yì)。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的(de)结构转变使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为(wèi)最关键、最大量(liàng)的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会(huì)更深的孔或(huò)者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设备需求(qiú)。据东(dōng)京电子披(pī)露(lù)，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被(bèi)加入美国限制名单，设备(bèi)国(guó)产化进程加速，看好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积）等(děng)相关公司份额提升，以及存储(chǔ)业务占比较高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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