大家好，来看一则(zé)突(tū)发消息。

　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室依法(fǎ)对美光公司在华销(xiāo)售(shòu)产品进(jìn)行了网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公(gōng)司产品(pǐn)存在(zài)较(jiào)严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国关(guān)键信息基(jī)础设(shè)施供(gōng)应链造(zào)成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安(ān)全审查办(bàn)公室(shì)依(yī)法作出不予通过网络安全审查(chá)的(de)结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法规(guī)，我国内(nèi)关键信息基础(chǔ)设施的运营者应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对(duì)美(měi)光公司产(chǎn)品进行(xíng)网络安全审查(chá)，目的是防(fáng)范产(chǎn)品网络安全(quán)问题(tí)危害国家(jiā)关键信(xìn)息(xī)基础设施安全，是维(wéi)护国(guó)家安全(quán)的必要措施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高水平(píng)对外(wài)开(kāi)放(fàng)，只要遵守中世界四大文化名人是哪4个，世界四大文化名人不包括谁(zhōng)国法律法规要(yào)求，欢(huān)迎(yíng)各国企业、各类平台(tái)产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护(hù)国家安全，依据《中华人(rén)民共和(hé)国国家(jiā)安全(quán)法》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对(duì)美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售的产(chǎn)品(pǐn)实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美国(guó)的存(cún)储芯片行业龙头，也是全世界四大文化名人是哪4个，世界四大文化名人不包括谁球存(cún)储芯(xīn)片巨(jù)头之(zhī)一，2022年(nián)收入(rù)来自中(zhōng)国市场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波(b世界四大文化名人是哪4个，世界四大文化名人不包括谁ō)龙、佰维存(cún)储等公司(sī)披露过美光等国际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购(gòu)占比已经显著下降，至(zhì)少已经(jīng)不是(shì)主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美(měi)光(guāng)位列江波龙第(dì)一大存储晶圆(yuán)供应(yīng)商，采(cǎi)购(gòu)约(yuē)31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三大供应(yīng)商采购金额(é)占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已经在存储产(chǎn)业链上(shàng)下游建立(lì)国(guó)内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年(nián)报(bào)显示，江波龙与(yǔ)三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署了(le)长期合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在(zài)下游市场的供应优势(shì)，公(gōng)司也(yě)与国(guó)内国产存(cún)储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商(shāng)此前就(jiù)分析，如(rú)果美(měi)光在中国区销售受(shòu)到限制，或将导(dǎo)致下(xià)游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对(duì)产品(pǐn)

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维的结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻(kè)蚀(shí)目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更(gèng)多设备(bèi)需求。据东京(jīng)电子(zi)披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制(zhì)名单，设(shè)备国(guó)产化进(jìn)程加(jiā)速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存储业务(wù)占比较(jiào)高的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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