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　　美(měi)光公司在华(huá)销售(shòu)的(de)产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对美光公司在华(huá)销(xiāo)售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品(pǐn)存在较(jiào)严重网络安全问题隐患，对(duì)我国关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链造(zào)成重大安(ān)全风(fēng)险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法作出不予通(tōng)过网络(luò)安全审查的结论。按照《网络安全(quán)法》等法律法规，我国内(nèi)关键信息基础设施(shī)的(de)运营者应停(tíng)止采购美(měi)光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光公司产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行网络(luò)安(ān)全审(shěn)查，目的是防范产品网络安全(quán)问(wèn)题危害国家(jiā)关(guān)键信息基础设施安全(quán)，是维护国家安(ān)全(quán)的(de)必要措施(shī)。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放，只要遵(zūn)守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业(yè)、各类平(píng)台产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文(wén)称，为保障关(guān)键信息基(jī)础设施供应链安全，防范(fàn)产品问(wèn)题(tí)隐患(huàn)造成网(wǎng)络安(ān)全风险，维护国(guó)家安全(quán)，依据《中华人民共(gòng)和国国家(jiā)安全(quán)法》《中华(huá)人民共和国(guó)网络(luò)安全法》，网络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)公室按照《网络(luò)安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销售的(de)产品实施网络安全审查。

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　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入(rù)从此前(qián)高峰(fēng)57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公(gōng)司(sī)披露过美(měi)光(guāng)等国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占(zhàn)比已经显(xiǎn)著下(xià)降，至(zhì)少已经不(bù)是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光位列江波龙第一(yī)大祈使句例子英语，祈使句例子10个存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三大供(gōng)应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经(jīng)在存(cún)储产业(yè)链(liàn)上下游建立国内(nèi)外广(guǎng)泛合作。2022年年报(bào)显示(shì)，江波(bō)龙与三星、美光、西部数(shù)据等主要(yào)存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署(shǔ)了长期(qī)合约，确(què)保存储晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公司在(zài)下游市(shì)场的供应优势(shì)，公司也与国内国(guó)产存储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受(shòu)到限制，或将导致下游客户转而采购(gòu)国外三(sān)星、 SK海力士(shì)，国内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从(cóng)中受益。存储(chǔ)器的生产已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深(shēn)的(de)孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求(qiú)。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积(jī)设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长江(jiāng)存储被(bèi)加(jiā)入美国限制名(míng)单(dān)，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司(sī)份额提升(shēng)，以及存储(chǔ)业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上(shàng)海（清(qīng)洗(xǐ)）等(děng)收入增(zēng)长。

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