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　　美光公司(sī)在华销(xiāo)售(shòu)的产品未通过网(wǎng)络安全审查(chá)

　　据网信办消(xiāo)息(xī)，日前，网络安全(quán)审查(chá)办公室依法对美光公司在(zài)华销(xiāo)售(shòu)产(chǎn)品进行(xíng)了(le)网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在较严重(zhòng)网络安全(quán)问题隐患，对我国(guó)关键信息基础设施供应链造成重大安全(quán)风(fēng)险，影(yǐng)响我国国家(jiā)安全(quán)。为此，网络安(ān)全(quán)审查办公室依法作出不(bù)予(yǔ)通过网(wǎng)络安全审查的结论(lùn)。按(àn)照《网络安(ān)全法》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我国内关键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)进行网(wǎng)络安全审(shěn)查，目(mù)的是防范产品网络安全问题危害国家关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设施(shī)安全(quán)，是维护国(guó)家(jiā)安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对(duì)外开放，只要遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎各国(guó)企业、各类(lèi)平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网(wǎng)发文称，为保障关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施(shī)供应链安全，防范产品问(wèn)题隐患(huàn)造成网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国(guó)家(jiā)安全，依据(jù)《中(zhōng)华(huá)人民共和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和国网络安(ān)全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实(shí)施网络安(ān)全审查。

　　美光是(shì)美国(guó)的存储(chǔ)芯片(piàn)行(xíng)业龙头，也是全(quán)球存储芯片(piàn)巨头(tóu)之一(yī)，2022年(nián)收入来自中国市场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰(bǎi)维存(cún)储等(děng)公司披露过(guò)美光(guāng)等国际存储厂商为公司(sī)供应商(shāng)。女生有感觉了是怎么样的呢>

　　美(měi)光在江波龙采购(gòu)占比已经显(xiǎn)著下(xià)降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一(yī)大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第三大(dà)供应商采购金额占比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已经在存储产业链上下游建立(lì)国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要(yào)存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆(yuán)供(gōng)应的(de)稳(wěn)定性(xìng)，巩固公司在下游市(shì)场的供应优(yōu)势，公司也与国内(nèi)国(guó)产存储女生有感觉了是怎么样的呢晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的(de)合(hé)作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前就分析，如果美光在中(zhōng)国区销售(shòu)受到限(xiàn)制(zhì)，或将导致下游(yóu)客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最(zuì)大(dà)量的(de)加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜(mó)沉积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需求(qiú)。据东京(jīng)电子(zi)披露(lù)，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及(jí)存储(chǔ)业务占比较高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收(shōu)入增(zēng)长。

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