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　　美光(guāng)公司在华销售的产(chǎn)品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查(chá)办公(gōng)室(shì)依法(fǎ)对美光公司在(zài)华(huá)销售(shòu)产品进行了网络安(ān)全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存在(zài)较严(yán)重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设施(shī)供应链(liàn)造(zào)成(chéng)重大安全风险，影响我(wǒ)国国家安(ān)全。为此，网络安(ān)全审查(chá)办公(gōng)室依法作(zuò)出不予(yǔ)通过(guò)网络安全审查(chá)的(de)结(jié)论。按照《网络(luò)安全(quán)法》等(děng)法律法(fǎ)规，我(wǒ)国内(nèi)关键信息基础设施的运营者(zhě)应停止(zhǐ)采(cǎi)购美(měi)光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络安全审查，目的是防范产品(pǐn)网络(luò)安全(quán)问题危害国家关键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施(shī)安全，是(shì)维(wéi)护国家安全(quán)的必要(yào)措施。中国坚定推(tuī)进萝卜丁属于什么档次，世界十大奢华口红品牌ff0000; line-height: 24px;'>萝卜丁属于什么档次，世界十大奢华口红品牌高(gāo)水(shuǐ)平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法(fǎ)律法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各国企业、各(gè)类平台萝卜丁属于什么档次，世界十大奢华口红品牌产品(pǐn)服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发(fā)文称，为(wèi)保(bǎo)障关键信息基(jī)础设施供应链安(ān)全，防范(fàn)产品问(wèn)题隐患造(zào)成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人民共(gòng)和(hé)国网(wǎng)络安全法》，网络安全(quán)审查办公(gōng)室(shì)按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对(duì)美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的(de)存储芯片行业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来(lái)自中国市场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光(guāng)在全(quán)球(qiú) DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司(sī)披露过(guò)美光(guāng)等国(guó)际存储厂商(shāng)为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至(zhì)少已经(jīng)不(bù)是主要(yào)大(dà)供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在(zài)存储产业(yè)链上下游建(jiàn)立国(guó)内外广泛合作。2022年(nián)年(nián)报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等(děng)主要(yào)存储晶圆原(yuán)厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势，公(gōng)司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美光在(zài)中国区销售(shòu)受到限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外三(sān)星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器(qì)的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最关键、最大量的(de)加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽(cáo)，催生(shēng)更多设备需(xū)求。据东京电子披(pī)露，薄(báo)膜(mó)沉积设(shè)备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支(zhī)合计(jì)为75％。自(zì)长江存储被加入(rù)美国限(xiàn)制名单，设备国(guó)产化进程加(jiā)速(sù)，看(kàn)好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等(děng)相关(guān)公(gōng)司份额提升，以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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