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　　美光(guāng)公司在华销售(shòu)的产品(pǐn)未通(tōng)过网络(luò)安全审(shěn)查(chá)

　　据网(wǎng)信办消息(xī)，日前，网络安(ān)全审(shěn)查办公室(shì)依法对美(měi)光公司在华销售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在较(jiào)严重(zhòng)网络安全问(wèn)题隐患(huàn)，对(duì)我(wǒ)国(guó)关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施(shī)供应(yīng)链(liàn)造成重大安全风险，影响我国国(guó)家安全。为此(cǐ)，网络(luò)安全审查办公室依法作(zuò)出不予通过(guò)网络安全审(shěn)查(chá)的结论(lùn)。按(àn)照(zhào)《网络安全法(fǎ)》等(děng)法律法规，我国内(nèi)关键信息基础设施的运营(yíng)者(zhě)应停止采购美光公(gōng)司(sī)产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进(jìn)行网络安全(quán)审查，目的是防(fáng)范(fàn)产品网络安全问题危害(hài)国家关键(jiàn)信息基础设(shè)施(shī)安全，是维护国家安全的必要措施(shī)。中国坚定推进高水平对(duì)外(wài)开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢(huān)迎各国(guó)企业(yè)、各类平台产品服务进入(rù)中国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称(chēng)，为(wèi)保障关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应链(liàn)安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网(wǎng)络安全(quán)风险，维护国家安全(quán)，依据《中(zhōng)华人民共和国(guó)国家安(ān)全法》《中华(huá)人民(mín)共和(hé)国(guó)网络安全法》，网络(luò)安全审查(chá)办公室(shì)按(àn)照(zhào)《网络(luò)安全审(shěn)查办法》，对(duì)美(měi)光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯(xīn)片(piàn)行业龙子不学,非所宜什么意思，子不学,非所宜这句话是什么意思(lóng)头(tóu)，也是(shì)全球存(cún)储芯片巨头(tóu)之一(yī)，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国市场收(shōu)入(rù)从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为(wèi)公司供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙采购(gòu)占(zhàn)比已经显著下(xià)降，至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要(yào)大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第(dì)二大和第三大供(gōng)应商采购金额占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已经在存储产业链(liàn)上下游(yóu)建(jiàn)立(lì)国(guó)内外广泛合作。2022年(nián)年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期合(hé)约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公(gōng)司在下游市(shì)场的供应优(yōu)势，公司也(yě)与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就分(fēn)析，如果美光在中国区销(xiāo)售(shòu)受到(dào)限制，或将导致下游客户转而采购(gòu)国外(wài)三星、 SK海力(lì)士(shì)，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析(xī)称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可能会更深(shēn)的孔或(huò)者沟槽，催生(shēng)更多设备需(xū)求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支(zhī)合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名单，设备(bèi)国产(chǎn)化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司(sī)份额提升(shēng)，以及存储(chǔ)业务占(zhàn)比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收(shōu)入增长(zhǎng)。

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