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　　美光公司(sī)在华(huá)销(xiāo)售(shòu)的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安全(quán)审查(chá)办(bàn)公室(shì)依(yī)法对美光(guāng)公司在华销(xiāo)售产品进行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公(gōng)司产品存在较严重网络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键信断联一个月男人心理状态，男的断联半个月的心理息基础设施供(gōng)应链造(zào)成重大安全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安(ān)全。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审(shěn)查办公室依法作出不予通过网络安(ān)全审查的(de)结论。按(àn)照《网络安(ān)全(quán)法》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我国内关键信(xìn)息基础设施的运营(yíng)者(zhě)应停止采购美(měi)光(guāng)公司产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美(měi)光公司产品进行网络(luò)安全审查(chá)，目的是防范产品网络安(ān)全问题(tí)危害国家关键信息基(jī)础设施安(ān)全，是(shì)维护国家(jiā)安全(quán)的必要措施。中国坚定(dìng)推(tuī)进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发(fā)文(wén)称，为保障关(guān)键(jiàn)信息基础设(shè)施供(gōng)应链(liàn)安全，防范产品问(wèn)题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维(wéi)护国家安全，依(yī)据《中(zhōng)华人民共和国国家安(ān)全法》《中华人(rén)民共(gòng)和国网络安(ān)全(quán)法》，网络安(ān)全审查办(bàn)公室按照《网络安(ān)全(quán)审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的(de)产品(pǐn)实施(shī)网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是(shì)全球存储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一(yī)，2022年(nián)收入来(lái)自中国(guó)市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司(sī)中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光等国际存储厂商为(wèi)公司(sī)供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占(zhàn)比(bǐ)已(yǐ)经显著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位(wèi)列(liè)江波龙第(dì)一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第(dì)一(yī)大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业链(liàn)上下(xià)游(yóu)建立国内外(wài)广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美(měi)光、西部数据等断联一个月男人心理状态，男的断联半个月的心理(děng)主要存(cún)储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约(yuē)，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆(yuán)供应(yīng)的稳定性，巩固公司在(zài)下游市场的供(gōng)应优(yōu)势，公司(sī)也(yě)与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前(qián)就(jiù)分析，如果(guǒ)美光在(zài)中国区销售(shòu)受到限制(zhì)，或将导致(zhì)下游客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的(de)上游设(shè)备厂(chǎng)或(huò)从中(zhōng)受(shòu)益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最(zuì)大量(liàng)的加(jiā)工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽(cáo)，催生更(gèng)多设备需(xū)求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加入(rù)美国(guó)限制名单，设备国产化(huà)进(jìn)程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提升，以(yǐ)及(jí)存储业务占比较(jiào)高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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