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　　美光公(gōng)司在华(huá)销售(shòu)的产品未通过网络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美(měi)光公(gōng)司在华销(xiāo)售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在较严重(zhòng)网(wǎng)络安全问题隐患，对我国(guó)关键信息基础设施供应链造成重大安全(quán)风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家安全(quán)。为此，网络安(ān)全审(shěn)查办公室依法作出不予(yǔ)通过网络安全审(shěn)查的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内(nèi)关键信息(xī)基础设施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行(xíng)网络安全(quán)审查，目的是防范(fàn)产品网络(luò)安全问题危(wēi)害国家关键信息基础(chǔ)设施(shī)安(ān)全，是(shì)维(wéi)护国家安全的必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平(píng)对(duì)外开放，只要遵守中国(guó)法律法规要(yào)求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产(chǎn)品服(fú)务进入(rù)中国市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信网发文称，为保(bǎo)障关(guān)键信息基(jī)础设施供应链安全，防范产品(pǐn)问(wèn)题(tí)隐患造成网络安全(quán)风险，维护国家(jiā)安全，依据《中华(huá)人民(mín)共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》，网络(luò)安全审查办公室按照(zhào)《网(wǎng)络安全(quán)审查办法》，对美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销售的(de)产品实(shí)施网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自(zì)中(zhōng)国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球(qiú)女生为什么不能光膀子，为什么女人不能光膀子 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士(shì)、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光(guāng)等国际存储厂商为(wèi)公司(sī)供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已(yǐ)经(jīng)不是(shì)主要大(dà)供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一(yī)大(dà)存储晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一大、第二大和第(dì)三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.女生为什么不能光膀子，为什么女人不能光膀子85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在(zài)存储产业链上下(xià)游建立国内外(wài)广泛(fàn)合作。2022年年报(bào)显示(shì)，江波龙(lóng)与三星、美光、西(xī)部(bù)数据等主要存(cún)储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署了长期(qī)合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固(gù)公司(sī)在下(xià)游市场(chǎng)的供应(yīng)优势，公司也与国(guó)内国产存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分(fēn)析(xī)，如果美光在中国区销售受(shòu)到限制，或将导致下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均需要(yào)经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀(shí)目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生(shēng)更多(duō)设备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长江存储被加入美(měi)国限(xiàn)制(zhì)名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以(yǐ)及存(cún)储(chǔ)业(yè)务(wù)占比较高的华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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