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　　美光公司在华(huá)销(xiāo)售的产品未通过(guò)网络安(ān)全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络(luò)安(ān)全审查办(bàn)公室依(yī)法(fǎ)对美光(guāng)公司在华销售产(chǎn)品(pǐn)进行了网络安全审查(chá)。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光(guāng)公司产品存在较严重网络(luò)安全(quán)问(wèn)题隐(yǐn)患，对我国关键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链造成重大(dà)安全(quán)风险(xiǎn)，影响我国国家(jiā)安全(quán)。为此，网络安(ān)全审查办公室依(yī)法作出不(bù)予通过网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)的结(jié)论。按(àn)照《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础设施的运营者应(yīng)停(tíng)止采购美光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光(guāng)公司产品(pǐn)进行网络安全(quán)审查，目(mù)的是防范产品网络安(ān)全(quán)问题危害(hài)国家关键信息(xī)基础设施安全，是(shì)维护国(guó)家(jiā)安全的(de)必要措(cuò)施(shī)。中国坚定(dìng)推(tuī)进高水平(píng)对(duì)外开放，只要遵守中国(guó)法律法规(guī)要求，欢迎各(gè)国企业、各(gè)类平台(tái)产品服务进(jìn)入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为(wèi)保障关(guān)键信息基础设施供应链(liàn第一次见面握手是左手还是右手，与人握手是左手还是右手)安全(quán)，防(fáng)范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华(huá)人民共和国国家安全法》《中华人民共和第一次见面握手是左手还是右手，与人握手是左手还是右手国网络(luò)安全(quán)法》，网络(luò)安全审(shěn)查(chá)办(bàn)公室按照《网(wǎng)络安全审查办(bàn)法》，对美光公司(sī)（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的(de)产品实施网络安全(quán)审查。

　　美(měi)光(guāng)是美国的存(cún)储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储(chǔ)芯片(piàn)巨头之(zhī)一(yī)，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入(rù)从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 第一次见面握手是左手还是右手，与人握手是左手还是右手海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波(bō)龙、佰维(wéi)存储等公司披露(lù)过(guò)美(měi)光等国(guó)际存储厂(chǎng)商(shāng)为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采(cǎi)购(gòu)占比(bǐ)已(yǐ)经显著下(xià)降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大(dà)存储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二(èr)大和(hé)第三大(dà)供(gōng)应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在(zài)存(cún)储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报(bào)显示，江波(bō)龙与(yǔ)三星、美光、西部(bù)数据等主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保(bǎo)存(cún)储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司(sī)在下(xià)游市场的供(gōng)应优势(shì)，公司(sī)也与国(guó)内(nèi)国(guó)产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就分析，如(rú)果(guǒ)美光在中国区销售受到限制，或将导(dǎo)致下游客(kè)户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内长江存(cún)储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大(dà)量的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要经过(guò)薄(báo)膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可(kě)能(néng)会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多(duō)设备(bèi)需求。据(jù)东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长江存储被加入美国限制名(míng)单，设备国产化(huà)进程加(jiā)速(sù)，看好拓荆(jīng)科技（薄膜(mó)沉(chén)积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长。

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