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姚笛为文章打过几次胎,文章和姚笛生孩子了嘛

姚笛为文章打过几次胎,文章和姚笛生孩子了嘛 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家(jiā)好,来(lái)看一则突发消息(xī)。

  美光公司在华销售的产品未通过网络(luò)安全审(shěn)查

  据网(wǎng)信办消息,日前,网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室依法对美光公司(sī)在华销售产品进行了网络安全(quán)审(shěn)查。

  审查发现,美光公司产(chǎn)品存在较严重网络安(ān)全问题隐患(huàn),对我国关键信息基础设(shè)施供应链(liàn)造成重大安全风(fēng)险,影响(xiǎng)我国国家安全。为(wèi)此,网络安全审查办公室依(yī)法作出不予通过网络安(ān)全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法(fǎ)律(lǜ)法规,我国内关键信息基(jī)础设施的运营者应停止(zhǐ)采购(gòu)美光公司产品。

  此次对美光公司(sī)产(chǎn)品进行网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查(chá),目(mù)的是(shì)防范产(chǎn)品网络安全(quán)问题危害国家关键信(xìn)息基础设施安全(quán),是(shì)维护国(guó)家安全的必要措(cuò)施。中(zhōng)国(guó)坚定推进(jìn)高水平(píng)对外开放,只要遵守中国(guó)法(fǎ)律(lǜ)法规要求(qiú),欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服务进(jìn)入中国市场。

  半导(dǎo)体突发(fā)!中国出手:停止(zhǐ)采购!

  3月31日,中国网信网发文称,为(wèi)保障关(guān)键信息基础设(shè)施供应链安全(quán),防范产品问题隐患(huàn)造成网络安全风险,维护国家安全(quán),依据(jù)《中(zhōng)华人(rén)民(mín)共和国国家安(ān)全法》《中华人民共(gòng)和国网(wǎng)络(luò)安全法》,网络安全审查(chá)办公室按照《网(wǎng)络(luò)安全审查办法》,对美光公司(Micron)在华(huá)销售的(de)产(chǎn)品实施网络安全(quán)审查。

  半导体突发!中国(guó)出(chū)手:停止(zhǐ)采(cǎi)购!

  美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头(tóu),也(yě)是全球存(cún)储芯片(piàn)巨头之一,2022年收(shōu)入来(lái)自中(zhōng)国市场收入从此(cǐ)前(qián)高峰(fēng)57%降至2022年约11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76%,三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股(gǔ)上市公司中,江波(bō)龙、佰维存(cún)储等公(gōng)司披露过美光(guāng)等国际(jì)存储厂商为公司供应商。

  美(měi)光在江(jiāng)波龙采购占比已经显(xiǎn)著下(xià)降,至少已经不是(shì)主要大供应商(shāng)。

  公告(gào)显示, 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存储晶圆供应商,采购(gòu)约31亿(yì)元,占比33.52%;2022年,江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别(bié)是26.28%、22.85%和5.76%。

  目(mù)前江波龙(lóng)已经在(zài)存储产业链上(shàng)下(xià)游建(jiàn)立(lì)国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示,江波(bō)龙(lóng)与三(sān)星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了(le)长期合(hé)约,确保(bǎo)存储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定(dìng)性(xìng),巩固(gù)公司在下游(yóu)市场的供应优势,公司也与(yǔ)国内国产存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良(liáng)好的合作。

  有券商此前就(jiù)分析,如(rú)果美光(guāng)在中国区销售受到限制,或将导致下(xià)游客(kè)户(hù)转而(ér)采购国外三(sān)星、 SK海力士(shì),国(guó)内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

  分析称,长存、长鑫的(de)上游设备厂(chǎng)或(huò)从中受益(yì)。存储器的生产(chǎn)已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代,2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最(zuì)关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜(mó)沉积(jī)工艺(yì)步骤,同时刻(kè)蚀目前前沿要(yào)刻到 60:1的深孔,未来可能会更深的孔或者沟槽,催生(shēng)更多设备(bèi)需求(qiú)。据东京(jīng)电子披露,薄(báo)膜沉积(jī)设(shè)备(bèi)及(jí)刻蚀占(zhàn)3D 姚笛为文章打过几次胎,文章和姚笛生孩子了嘛NAND产线资本开支合计(jì)为75%。自长江存储被加入美国限制名单,设(shè)备国产化进程加速(sù),看(kàn)好拓荆科技(薄膜沉积)等(děng)相(xiāng)关公司份额(é)提升,以(yǐ)及(jí)存储业务占比较高(gāo)的华海清科(CMP)、盛美上海(清洗)等收(shōu)入增长。

 

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