大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光(guāng)公(gōng)司在华销售的产品未(wèi)通过(guò)网(wǎng)络(luò)安全(quán)审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光(guāng)公司在华销售产(chǎn)品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品(pǐn)存在较严重网络安(ān)全问题隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设(shè)施供应(yīng)链造成(chéng)重大安(ān)全风险，影响我国(guó)国(guó)家安(ān)全。为此，网络安全(quán)审查办公室(shì)依法作(zuò)出不予通(tōng)过(guò)网络安全审查(chá)的(de)结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法规，我国(guó)内(nèi)关键信(xìn)息基础设施的运营者应停止采购(gòu)美光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公司产(chǎn)品进行(xíng)网络安(ān)全审(shěn)查，目的是防范产品网络安全问题(tí)危害国家关键信(xìn)息基础设(shè)施(shī)安(ān)全，是维(wéi)护(hù)国家安全的必要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平(píng)对外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要(yào)求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服(fú)务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国(guó)网信网发文称，为保障关键信息基础设(shè)施供(gōng)应(yīng)链(liàn)安全，防范(fàn)产(chǎn)品问(wèn)题隐患造成网络安全风险，维(wéi)护国家安全，依据(jù)《中华人(rén)民(mín)共和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销售的产品(pǐn)实施网络(luò)安全审查。

　　美(měi)光是美国的存(cún)储芯片行业龙头，也(yě)是(shì)全球存储芯片(piàn)巨(jù)头(tóu)之(zhī)一，2022年(nián)收入来自中(zhōng)国市(shì)场收(shōu)入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维存(cún)储等(děng)公(gōng)司披(pī)露过美(měi)光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购(gòu)占比已经显著下降，至(zhì)少(shǎo)已经不是(shì)主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光(guāng)位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一(yī)大(dà)、第二大和第三大供(gōng)应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已(yǐ)经在存储产业链上下游建立国内外(wài)广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报(bào)显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据(jù)等主要存(cún)储晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定(dìng)性(xìng)，巩固(gù)公司(sī)在下游(yóu)市(shì)场的供应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如(rú)果美光在中(zhōng)国区销售(shòu)受到限(xiàn)制，或将(jiāng)蒋经国的母亲是谁 蒋纬国的亲生父亲母亲是谁导致(zhì)下游客户转而采(cǎi)购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的(de)生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì蒋经国的母亲是谁 蒋纬国的亲生父亲母亲是谁)1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀(shí)目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生(shēng)更多(duō)设备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉(chén)积(jī)设备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制(zhì)名单(dān)，设备(bèi)国产(chǎn)化(huà)进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉(chén)积）等相关公司份额提升(shēng)，以及(jí)存储业(yè)务占比较(jiào)高的华(huá)海清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗）等收入增(zēng)长。

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