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　　美光公司在(zài)华销售的产品(pǐn)未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存(cún)在较严重(zhòng)网络安(ān)全问(wèn)题隐患，对我国关(guān)键信息(xī)基础设施供应(yīng)链造成(chéng)重大安全风险，影响我国国家安(ān)全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通过(guò)网络安(ān)全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等(戊时是几点，戊时是几点到几点钟的时děng)法律法规，我国内关键信息基础设施的(de)运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品(pǐn)进行网络安全审查(chá)，目的是防范产品网络安全问题危害国(guó)家关键(jiàn)信息基础设施安全，是维(wéi)护国家安全的必要措施(shī)。中国坚(jiān)定推进(jìn)高(gāo)水平对外开放，只要遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎(yíng)各国企业、各(gè)类平台产品服务(wù)进(jìn)入中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网(wǎng)发(fā)文称，为保(bǎo)障关键信(xìn)息基础设施供应链安全(quán)，防范产品问(wèn)题隐(yǐn)患造成网络安(ān)全风险(xiǎn)，维护(hù)国家(jiā)安(ān)全，依据《中华人民共和国国家安(ān)戊时是几点，戊时是几点到几点钟的时全法》《中华人民(mín)共和国网(wǎng)络(luò)安全法(fǎ)》，网络安全审查办(bàn)公室(shì)按(àn)照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美国(guó)的存储芯片行业龙(lóng)头(tóu)，也是全(quán)球存储芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年收入来(lái)自中国市(shì)场(chǎng)收(shōu)入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等(děng)公司披露过(guò)美光等(děng)国际(jì)存(cún)储厂商为公司(sī)供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江波(bō)龙采购(gòu)占比已(yǐ)经显著(zhù)下降(jiàng)，至少已(yǐ)经不是(shì)主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应商采购(gòu)金(jīn)额占(zhàn)比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产(chǎn)业链上下游(yóu)建立国内(nèi)外广泛(fàn)合作。2022年年报显示(shì)，江(jiāng)波龙与三星(xīng)、美(měi)光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存(cún)储晶圆供应(yīng)的稳定(dìng)性(xìng)，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优势，公司也与(yǔ)国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保(bǎo)持(chí)良(liáng)好的合作(zuò)。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美(měi)光在中(zhōng)国区销售受到限制，或将导致(zhì)下游客户转而(ér)采购国(guó)外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设备厂或从(cóng)中受(shòu)益(yì)。存储器的生产已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步(bù)骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目前(qián)前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会(huì)更(gèng)深(shēn)的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支合计为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制名(míng)单(dān)，设备(bèi)国产化(huà)进程加速，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关(guān)公(gōng)司份额提升，以及存(cún)储业(yè)务占比较高的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增长。

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