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攻坚克难与攻艰克难有何区别呢,攻坚克难和攻坚克难有何区别 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大(dà)家好,来看(kàn)一则突(tū)发消息。

  美光公(gōng)司在华(huá)销售(shòu)的产品未通过(guò)网(wǎng)络安全审(shěn)查

  据(jù)网信办(bàn)消息(xī),日前,网络安(ān)全审查办公室依(yī)法(fǎ)对美光公(gōng)司在华销(xiāo)售产品(pǐn)进(jìn)行了网络安全(quán)审查。

  审查(chá)发现,美光(guāng)公司产品(pǐn)存在较严(yán)重网络(luò)安全问题隐患,对我(wǒ)国关键信息基础设(shè)施供应链造(zào)成重大(dà)安全(quán)风险,影响我国国(guó)家(jiā)安全。为此,网络安全审查办公室依法(fǎ)作出不予通(tōng)过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规,我国内关键信息基(jī)础(chǔ)设施(shī)的运营者应停止采购美光公(gōng)司产品。

  此次(cì)对美光公司(sī)产品进(jìn)行网络安全审查(chá),目的(de)是防范产品网络安(ān)全问题危害国家关键信息基础设(shè)施安(ān)全,是(shì)维护国家安全的必(bì)要措施(shī)。中国坚定推进(jìn)高水平对(duì)外开放(fàng),只要遵守中国法律(lǜ)法规要(yào)求,欢迎(yíng)各国企业(yè)、各类(lèi)平台产品服务进(jìn)入中国市(shì)场。

  半导(dǎo)体突发(fā)!中国(guó)出手:停(tíng)止采购(gòu)!

  3月31日,中国网(wǎng)信网发文称,为保障(zhàng)关键信息基础(chǔ)设施供应链安全(quán),防(fáng)范产品问题隐患造成网络安全风险,维护(hù)国家安全,依据《中华人(rén)民(mín)共和国(guó)国家安全(quán)法(fǎ)》《中华人民(mín)共和国网络安全法》,网络安(ān)全(quán)审查(chá)办公(gōng)室按照《网络安全审查(chá)办(bàn)法》,对美光公司(sī)(Micron)在华(huá)销售的产品实施网络安全(quán)审查(chá)。

  半导体突发!中国出(chū)手:停止采购!

  美光是美国的(de)存储芯片行业龙头,也是(shì)全球存储芯片巨头之一,2022年收入来(lái)自中国市场收入从此前高峰57%降至(zhì)2022年约11%。根(gēn)据市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash (闪存(cún))市场(chǎng)份(fèn)额约(yuē)为 96.76%,三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM (内存)市场份额约(yuē)为 94.35%。

  A股上(shàng)攻坚克难与攻艰克难有何区别呢,攻坚克难和攻坚克难有何区别市公司中(zhōng),江波龙(lóng)、佰维存(cún)储等公司披露过美(měi)光(guāng)等(děng)国际(jì)存储(chǔ)厂商为公司供应商(shāng)。

  美光(guāng)在江(jiāng)波龙(lóng)采购占比已经显著下降,至少(shǎo)已(yǐ)经不(bù)是主要大供应商。

  公告显(xiǎn)示, 2021年美(měi)光(guāng)位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商,采购约31亿(yì)元,占比33.52%;2022年,江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目(mù)前江波(bō)龙已经(jīng)在存储产业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示,江波(bō)龙与三(sān)星、美(měi)光、西部数(shù)据等主要存(cún)储晶圆原(yuán)厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期合约(yuē),确保(bǎo)存(cún)储晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定(dìng)性,巩固公司在(zài)下游市场的供应(yīng)优势,公(gōng)司(sī)也与(yǔ)国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持(chí)良好的(de)合作。

  有券商此前就分析,如果美光在中国区销售受到(dào)限制,或(huò)将导(dǎo)致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士,国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

  分析(xī)称,长存、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代(dài),2 维到3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀(shí)和薄(báo)膜成为(wèi)最(zuì)关(guān)键、最大量的加工设备(bèi)。3D 攻坚克难与攻艰克难有何区别呢,攻坚克难和攻坚克难有何区别NAND每(měi)层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺(yì)步骤,同时(shí)刻(kè)蚀目前前沿要(yào)刻到 60:1的深孔,未来可能会更深的孔(kǒng)或(huò)者沟(gōu)槽,催生更(gèng)多(duō)设备需求。据东京电子披(pī)露(lù),薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75%。自长江(jiāng)存储被加入(rù)美国(guó)限制名单,设备国产化进程加速,看好(hǎo)拓荆科技(jì)(薄膜沉积)等相关(guān)公(gōng)司份额提升,以及存储业(yè)务占比较高的华海清科(CMP)、盛美(měi)上海(清(qīng)洗)等收入增长(zhǎng)。

 

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