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　　美光公司在华销(xiāo)售的产品(pǐn)未通(tōng)过(guò)网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息，日前，网络安(ān)全(quán)审查办公室依法对美光公(gōng)司在华(huá)销售产品(pǐn)进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存(cún)在较(jiào)严重(zhòng)网络安(ān)全问(wèn)题隐患(huàn)，对我国关键信息基础设(shè)施供应链造成重(zhòng)大安全(quán)风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此(cǐ)，网络(luò)安全审查办公室(shì)依法作出(chū)不予通过网络安全(quán)审查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国内关键信息基(jī)础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公司(sī)产品进行网络(luò)安全审查(chá)，目(mù)的(de)是防范产品网络安全问题危害国家关键信(xìn)息基础设施安全，是维护这都有水了还说不想要，啊怎么这么多水啊(hù)国(guó)家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平对(duì)外开放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国(guó)企业、各类(lèi)平台产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链安全，防范产品(pǐn)问题(tí)隐患造成(chéng)网(wǎng)络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国(guó)国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在(zài)华销(xiāo)售(shòu)的产品实施(shī)网络(luò)安(ān)全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片(piàn)行(xíng)业龙头，也是(shì)全球(qiú)存储芯片巨(jù)头之一(yī)，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从此前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公(gōng)司(sī)披露过美光等国际存(cún)储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光(guāng)在(zài)江波龙(lóng)采购(gòu)占比已经显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少已经不(bù)是主要(yào)大(dà)供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光(guāng)位列江波(bō)龙第一大(dà)存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二(èr)大和(hé)第三大供应商采购金额(é)占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经(jīng)在(zài)存储(chǔ)产业链(liàn)上下游建立国内(nèi)外(wài)广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市(shì)场的供应(yīng)优势，公司也(yě)与(yǔ)国(guó)内国(guó)产存储晶(jīng)圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持(chí)良好的(de)合作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就分(fēn)析，如果美光(guāng)在中国区销(xiāo)售受(shòu)到限制，或将导(dǎo)致下游客(kè)户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益(yì)。存(cún)储(chǔ)器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键(jiàn)、最大(dà)量的加工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要经过薄(báo)膜沉(chén)积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电这都有水了还说不想要，啊怎么这么多水啊子披(pī)露，薄膜沉积设(shè)备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美国限制名单(dān)，设备国产(chǎn)化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公(gōng)司份额(é)提升，以及存储业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等(děng)收(shōu)入增长。

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