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　　美光公司在华销售的(de)产品未通(tōng)过(guò)网络安全审查(chá)

　　据网信办消(xiāo)息，日(rì)前，网络(luò)安全审查办公室依法(fǎ)对美光公司在华销售产品(pǐn)进(jìn)行(xíng)了网络(luò)安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成(chéng)重大(dà)安全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家安(ān)全。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室(shì)依法作出(chū)不(bù)予通(tōng)过(guò)网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我(wǒ)国内关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础英红九号是名茶吗，英九红茶叶价格一览表(chǔ)设施(shī)的运营者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网络安(ān)全审查，目的是(shì)防范产品网(wǎng)络安全(quán)问题危害(hài)国家关键(jiàn)信(xìn)息基础设施安全，是维护国家安全的必(bì)要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国(guó)法律法(fǎ)规要求(qiú)，欢迎(yíng)各国企业、各(gè)类平台产(chǎn)品(pǐn)服务进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发文(wén)称，为保障关(guān)键信(xìn)息基础设施供(gōng)应(yīng)链(liàn)安全，防范产品问题隐患造成网络(luò)安全(quán)风险，维护国家(jiā)安全(quán)，依据(jù)《中华人民共和(hé)国(guó)国(guó)家(jiā)安全法》《中华(huá)人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室(shì)按(àn)照《网(wǎng)络安全审查(chá)办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的(de)产品(pǐn)实(shí)施(shī)网络安全(quán)审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来(lái)自中国市(shì)场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过(guò)美(měi)光等国际存储(chǔ)厂商为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美(měi)光位列(liè)江波龙第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一大、第二大和第三大供(gōng)应商采购金额(é)占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链(liàn)上下游(yóu)建立国内外广(guǎng)泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原(yuán)厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期合(hé)约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优势，公司也(yě)与国内国产存储晶(jīng)圆(yuán)原厂(chǎng英红九号是名茶吗，英九红茶叶价格一览表)武汉长江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保持良好的(de)合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美光在中国区销售受(shòu)到限制，或将导致下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国(guó)内(nèi)长江存(cún)储、长鑫存储等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成(chéng)为最关(guān)键(jiàn)、最(zuì)大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积(jī)工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目(mù)前(qián)前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东(dōng)京电(diàn)子披露，薄(báo)膜沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单(dān)，设备(bèi)国产化(huà)进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提(tí)升，以及存(cún)储(chǔ)业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增(zēng)长。

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