大家好，来看(kàn)一则突发消息(xī)。

　　美光公司在华(huá)销售的产(chǎn)品未通过网络(luò)安全审(shěn)查(chá)

　　据(jù)网信办消息，日(rì)前，网络(luò)安全审查办公室(shì)依法对美光(guāng)公(gōng)司在华销售产品进行了(le)网络安(ān)全审查。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光(guāng)公司产(chǎn)品存在(zài)较(jiào)严(yán)重网(wǎng)络安全问题隐(yǐn)患(huàn)，对我国(guó)关键(jiàn)信息基(jī)础设施(shī)供应链(liàn)造成重(zhòng)大安全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全审查办公(gōng)室(shì)依法作出不予(yǔ)通过网络安全(quán)审查的结论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规(guī)，我国内关键信息基(jī)础设施(shī)的运营(yíng)者(zhě)应停止(zhǐ)采购(gòu)美光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对(duì)美(měi)光公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安全问题危害(hài)国家关键信(xìn)息基础设施安全(quán)，是维护国(guó)家安(ān)全的必要措施。中国坚定(dìng)推进高水平(píng)对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进入中国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保障关键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施供应链安全(quán)，防(fáng)范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人(rén)民(mín)共和国国家安(ān)全(quán)法(fǎ)》《中华人民(mín)共(gòng)和(hé)国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办公室(shì)按照《网络安全审(shěn)查办(bàn)法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的产品(pǐn)实施(shī)网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头(tóu)之(zhī)一，2022年(nián)收入来自中(zhōng)国市场收入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存(cún)储(chǔ)等公司披露过美光(guāng)等国(guó)际(jì)存(cún)储厂商为(wèi)公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第三(sān)大供应商采购金(jīn)额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙已经在存储产业链上下游建(jiàn)立国(guó)内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示(shì)，江(jiāng)波龙与三(sān)星、美光、西部数(shù)据(jù)等(děng)主(zhǔ)要(yào)存(cún)储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的供(gōng)应优势，公司也与国内国产(chǎn)存储(凸面镜和凹面镜成像的特点是什么呢，凸面镜与凹面镜成像特点chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析凸面镜和凹面镜成像的特点是什么呢，凸面镜与凹面镜成像特点，如果美光在(zài)中国区(qū)销售受到限制，或将导致下游客户转而(ér)采(cǎi)购国外三星、 SK海凸面镜和凹面镜成像的特点是什么呢，凸面镜与凹面镜成像特点(hǎi)力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存(cún)储等竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上游设备厂(chǎng)或(huò)从中受益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大(dà)量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或(huò)者沟(gōu)槽，催生更多设(shè)备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合(hé)计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美(měi)国(guó)限制名单(dān)，设备国(guó)产化(huà)进(jìn)程加速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄膜(mó)沉(chén)积(jī)）等(děng)相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高(gāo)的华(huá)海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等(děng)收入(rù)增长。

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