大家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光公司在华(huá)销售的产品未通过网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审(shěn)查办公室依法对美光(guāng)公司在华销(xiāo)售产品进行了网络安全(quán)审(shěn)查。

　　审查(chá)发现，美光公司(sī)产品(pǐn)存在较严(yán)重网络安全问题隐患(huàn)，对我国关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链造成重(zhòng)大安(ān)全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查办公(gōng)室依法作出不予通过网络安全审查的结论(lùn)。按照(zhào)《网络(luò)安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规，我国(guó)内关键信息基础(chǔ)设(shè)施的(de)运营(yíng)者(zhě)应停止(zhǐ)采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网络(luò)安全审查，目(mù)的是防(fáng)范产品网络安全问题危害国家关键信息基础设施(shī)安全，是维护国家安(ān)全的(de)必要措施。中国(guó)坚定推(tuī)进(jìn)高水平对(duì)外开放，只要(yào)遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类(lèi)平台(tái)产品服务进入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关键信息(xī)基础设施供(gōng)应链(liàn)安全，防范产品问题隐患(huàn)造(zào)成(chéng)网络安全风险，维护(擅长和善于的区别，擅长和善长的区别造句hù)国家安(ān)全，依据《中(zhōng)华人民(mín)共和国国家安全法》《中华人民(mín)共和国网络安(ān)全法》，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室按(àn)照《网络(luò)安全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售的(de)产(chǎn)品实(shí)施网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　美光是美国(guó)的(de)存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来(lái)自(zì)中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。擅长和善于的区别，擅长和善长的区别造句根据(jù)市(shì)场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中(zhōng)，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美(měi)光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位(wèi)列江波(bō)龙第一(yī)大存储晶圆(yuán)供应(yīng)商，采购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三大供应商采购(gòu)金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已经在存储产业链上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江(jiāng)波龙(lóng)与三(sān)星、美(měi)光(guāng)、西部数(shù)据等(děng)主要存(cún)储晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆(yuán)供应的(de)稳定性，巩固公(gōng)司在下游市场的(de)供应(yīng)优势(shì)，公司(sī)也(yě)与(yǔ)擅长和善于的区别，擅长和善长的区别造句国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前(qián)就(jiù)分析，如果美光在(zài)中国(guó)区(qū)销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采购(gòu)国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或(huò)从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的(de)生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维的(de)结构转变使刻蚀(shí)和薄膜(mó)成为最(zuì)关(guān)键(jiàn)、最大量(liàng)的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均需要(yào)经过(guò)薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻(kè)蚀目前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未(wèi)来(lái)可能会更深的孔或(huò)者沟(gōu)槽，催生更多(duō)设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制名单(dān)，设(shè)备国产(chǎn)化进程(chéng)加速，看(kàn)好拓荆科(kē)技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份(fèn)额提升(shēng)，以及存(cún)储业务(wù)占(zhàn)比较高的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长(zhǎng)。

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