大家好，来看(kàn)一则突(tū)发消(xiāo)息(xī)。

　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通过网(wǎng)络安全(quán)审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安(ān)全(quán)审查办公(gōng)室依法(fǎ)对美(měi)光公司(sī)在华销(xiāo)售(shòu)产品进行了网络安全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在较严重网络安全问题隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关键信息基础设施供应链(liàn)造成重大安全风险，影响我国国(guó)家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不(bù)予通过网(wǎng)络安全(quán)审查的(de)结(jié)论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我(wǒ)国内关键信息(xī)基础设施(shī)的运(yùn)营者应停止(zhǐ)采购美光公司产品(pǐ3ce是什么档次，3ce是什么档次的牌子 style='color: #ff0000; line-height: 24px;'>3ce是什么档次，3ce是什么档次的牌子n)。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范(fàn)产品(pǐn)网(wǎng)络安(ān)全问题(tí)危害国家关键(jiàn)信息基(jī)础设施(shī)安全，是维护国家安全(quán)的必(bì)要(yào)措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中(zhōng)国法律法规要求(qiú)，欢迎(yíng)各国企业、各(gè)类平台产品服务进(jìn)入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为(wèi)保(bǎo)障(zhàng)关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网(wǎng)络(luò)安全(quán)风(fēng)险，维护国家(jiā)安全(quán)，依据《中华人(rén)民共和国国(guó)家安全法》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络(luò)安全审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华(huá)销售的产品实施网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　美光(guāng)是(shì)美国的(de)存储芯片行(xíng)业(yè)龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入(rù)来(lái)自中国(guó)市(shì)场收入从此前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维存(cún)储等公司披露(lù)过美光等国际存(cún)储厂商为公司(sī)供应商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第(dì)一大、第(dì)二大和第三大供应商采(cǎi)购金额占比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已(yǐ)经在存储(chǔ)产业链上下游(yóu)建(jiàn)立国内外广泛合(hé)作。2022年(nián)年报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署了(le)长期(qī)合(hé)约，确保存(cún)储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的供应优(yōu)势，公司也与国内(nèi)国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江(jiāng)存(cún)储、合肥(féi)长鑫(xīn)保(bǎo)持良好的合作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就分析，如果美光(guāng)在中国区销售受到(dào)限制，或将导致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成(chéng)为最关键、最大量(liàng)的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀(shí)目前3ce是什么档次，3ce是什么档次的牌子前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来可(kě)能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催(cuī)生更多设(shè)备需求。据东(dōng)京电子披露，薄(báo)膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本(běn)开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入(rù)美国限制名单，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以及存储业(yè)务占比较高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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