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　　大(dà)家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公司在华销(xiāo)售的产品(pǐn)未通(tōng)过(guò)网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)

　　据网信(xìn)办消(xiāo)息，日前，网络安(ān)全(quán)审查办公室依法对美光公司在华销售(shòu)产品进行了网络安(ān)全审查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美(měi)光公(gōng)司(sī)产品存在较严重网络(luò)安全(quán)问题隐患，对我国(guó)关键信息基础设(shè)施供应链造成重(zhòng)大安(ān)全(quán)风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安全(quán)审查办(bàn)公室(shì)依法作出(chū)不(bù)予通过网(wǎng)络安全审(shěn)查的结论。按(àn)照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内(nèi)关键信息(xī)基础设施的运营者应停止采购美光(guāng)公司(sī)产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范(fàn)产(chǎn)品网络安全问题(tí)危(wēi)害国家关(guān)键信(x87的所有因数有哪些数，87的所有因数有哪些ìn)息基础设施(shī)安全，是(shì)维护国家安全的(de)必(bì)要措(cuò)施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高水平对外(wài)开放(fàng)，只(zhǐ)要(yào)遵守中国法律法规(guī)要(yào)求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文(wén)称，为(wèi)保障关键信(xìn)息(xī)基础设施(shī)供应(yīng)链安(ān)全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据(jù)《中华人民共(gòng)和(hé)国国家安全法》《中(zhōng)华(huá)人(rén)民(mín)共和国网络安全法》，网络安全审(shěn)查(chá)办公室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美(měi)光(guāng)是美(měi)国的(de)存储芯(xīn)片行业龙(lóng)头，也是全球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从(cóng)此前高(gāo)峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露(lù)过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美光(guāng)位列江(jiāng)波龙第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购(gòu)约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大(dà87的所有因数有哪些数，87的所有因数有哪些)、第(dì)二大(dà)和第三大供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业(yè)链上下游建立(lì)国内外广泛合(hé)作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美(měi)光(guāng)、西部数据(jù)等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期(qī)合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供(gōng)应优势，公司也与(yǔ)国内(nèi)国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如果美光(guāng)在中国区销售受(shòu)到限制，或(huò)将导致下游(yóu)客户(hù)转而采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析(xī)称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存储器的(de)生产已经(jīng)演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变(biàn)使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键(jiàn)、最(zuì)大量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄(báo)膜(mó)沉积(jī)工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的(de)孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生更多设(shè)备(bèi)需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入(rù)美(měi)国(guó)限(xiàn)制(zhì)名(míng)单，设备国(guó)产化进(jìn)程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额提(tí)升，以及存储(chǔ)业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入(rù)增长。

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