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粤西是指什么地方 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一(yī)则(zé)突(tū)发消息。

  美光公司在华销售的产品(pǐn)未通过网络安全(quán)审查

  据网信办消息,日前,网络(luò)安全(quán)审查办公室依法对美光公司在华销售产品进行(xíng)了网络(luò)安全审(shěn)查。

  审查发现,美光公(gōng)司产品(pǐn)存在较严重网络安全问(wèn)题(tí)隐患,对(duì)我国关键信息基础设施供(gōng)应链造(zào)成重大安全风(fēng)险,影响我国(guó)国(guó)家(jiā)安全。为此,网络(luò)安全审(shěn)查(chá)办(bàn)公室依法作出不(bù)予通过网络安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规,我国(guó)内关键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施的运营者应(yīng)停止采购美光公司产品(pǐn)。

  此次对美光(guāng)公司产品进行网络安全审查,目的是(shì)防范产品网络安(ān)全问题(tí)危害国(guó)家关(guān)键信息(xī)基础设施安全,是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外(wài)开放,只要遵守中国法律法规要求(qiú),欢迎各(gè)国企业、各(gè)类平(píng)台产品(pǐn)服务进入中国市(shì)场。

  半导体突(tū)发!中国出手:停止采购!

  3月31日,中国网信网发(fā)文称(chēng),为保障关(guān)键信息基础(chǔ)设(shè)施供应链安全(quán),防范产品问(wèn)题隐患造成网络安全风险,维护国(guó)家安全(quán),依据(jù)《中华人民共和(hé)国(guó)国家安全法》《中华(huá)人民共和国网(wǎng)络(luò)安全法》,网(wǎng)络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查办法》,对美光公司(Micron)在华销(xiāo)售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

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  美光是(shì)美国的存储芯片(piàn)行业龙头,也是全球(qiú)存(cún)储(chǔ)芯片巨头(tóu)之一,2022年收入来自(zì)中国市场收入从此前高峰57%降至2022年约11%。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三(sān)星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash (闪存)市场份额约(yuē)为 96.76%,三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在全(quán)球 DRAM (内存)市场份额(é)约粤西是指什么地方为 94.35%。

  A股(gǔ)上市公司中,江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供(gōng)应商(shāng)。

  美光在江波龙采购占比已经显著(zhù)下降,至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

  公告显示, 2021年(nián)美(měi)光位列江(jiāng)波龙(lóng)第一大(dà)存(cún)储晶圆(yuán)供(gōng)应商,采购约31亿(yì)元,占比(bǐ)33.52%;2022年,江波(bō)龙第一大(dà)、第(dì)二大(dà)和第(dì)三大供应商采购金额占比分别(bié)是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前(qián)江波龙已(yǐ)经在存储产业链上(shàng)下游建立国内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示,江波龙与三星(xīng)、美光、西(xī)部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约,确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性,巩(gǒng)固公司在下(xià)游市(shì)场的供应优势(shì),公司也与国(guó)内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良好的合作。

  有券商此前(qián)就(jiù)分析,如果美光在(zài)中国区(qū)销售受到限制(zhì),或将导致下游(yóu)客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力(lì)士,国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

  分析称,长存、长鑫的上游设(shè)备厂或(huò)从中(zhōng)受益。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代,2 维(wéi)到(dào)3维的结(jié)构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜(mó)沉积(jī)工艺(yì)步骤,同时刻蚀(shí)目前前(qián)沿要刻到 60:1的深孔,未来可能会(huì)更深的孔(kǒng)或者沟槽(cáo),催生更多(duō)设备需求。据东(dōng)京电子披露,薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计(jì)为75%。自长江存储被(bèi)加入美国(guó)限制名单,设备国(guó)产化进程加速(sù),看好(hǎo)拓荆科技(薄(báo)膜(mó)沉积)等相关公司份额提(tí)升,以及存储(chǔ)业务占(zhàn)比(bǐ)较高的华海清科(CMP)、盛美上(shàng)海(hǎi)(清洗)等收入增长。

 

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