大家(jiā)好(hǎo)，来看(kàn)一则(zé当兵至少要当几年才可以退伍呢，当兵至少当几年才能退伍)突发消息(xī)。

　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网信(xìn)办消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依法对美光公司在华销售产品(pǐn)进(jìn)行了网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光公司产品存在较严重(zhòng)网络(luò)安(ān)全问题隐患，对我国关键信(xìn)息(xī)基础设施供应链(liàn)造成重大安全风险，影响我(wǒ)国(guó)国家安全。为此，网络安全审查办公室依(yī)法作出不予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安(ān)全法》等法(fǎ)律法规，我国内(nèi)关键信息基础设施的运营(yíng)者应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次(cì)对美光公(gōng)司(sī)产品进行(xíng)网络安全(quán)审查，目(mù)的是防范产品网络(luò)安全问题危(wēi)害(hài)国家(jiā)关键信(xìn)息基础设施安全，是(shì)维护国家安全的(de)必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平(píng)对外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法律法规要(yào)求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务(wù)进入(rù)中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障(zhàng)关键信(xìn)息基础设(shè)施供应(yīng)链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国家安全(quán)，依据《中(zhōng)华人民共和国国家安全法》《中华人民共和(hé)国(guó)网络(luò)安(ān)全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照(zhào)《网络(luò)安(ān)全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业龙(lóng)头，也是(shì)全(quán)球(qiú)存储(chǔ)芯(xīn)片巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等公(gōng)司披露过美光等国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在(zài)江波龙采购(gòu)占(zhàn)比已经显著下降，至(zhì)少已经不是主要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三大(dà)供(gōng)应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储(chǔ)产(chǎn)业链上(shàng)下游建立国(guó)内(nèi)外广泛(fàn)合(hé)作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三(sān)星(xīng)、美(měi)光、西部数据等主(zhǔ)要存(cún)储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署(shǔ)了长期合约，确保(bǎo)存(cún)储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的供(gōng)应优势当兵至少要当几年才可以退伍呢，当兵至少当几年才能退伍，公司也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果(guǒ)美(měi)光(guāng)在中(zhōng)国区销售受到(dào)限制，或将导致(zhì)下(xià)游(yóu)客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士(shì)，国内长江存(cún)储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等竞对(duì)产品(pǐn)

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游(yóu)设备厂或从中受益(yì)。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的结构(gòu)转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同(tóng)时(shí)刻(kè)蚀目(mù)前(qián)前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催(cuī)生(shēng)更多(duō)设备需求(qiú)。据东京电(diàn)子披露，薄膜(mó)沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计(jì)为75％。自(zì)长江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备国产(chǎn)化进(jìn)程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以及存(cún)储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清(qīng)洗）等收入增长。

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