大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在(zài)华销(xiāo)售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全审(shěn)查办公室依法对美光公司在华(huá)销售产品进行(xíng)了网络安(ān)全(quán)审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光公司产品存(cún)在较严重网络安全问(wèn)题(tí)隐患，对我国关键信息(xī)基础设(shè)施(shī)供应链造成重(zhòng)大安(ān)全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国(guó)国(guó)家安全。为此，网络安全(quán)审查办(bàn)公室(shì)依法作出不予通过网(wǎng)络安全(quán)审查的结论。按(àn)照《网络安(ān)全法》等法律法(fǎ)规，我(wǒ)国内关(guān)键信息基础设施的(de)运营者应停止采购美光(guāng)公(gōng)司产品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公(gōng)司产品(pǐn)进行网络安全审查，目(mù)的是防范产(chǎn)品(pǐn)网络安(ān)全问题危害国家关键信息基础设施安(ān)全(quán)，是维(wéi)护国家安全的必要(yào)措施。中国(guó)坚定(dìng)推(tuī)进高水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进(jìn)入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文(wén)称，为保障关键信息基础设施供(gōng)应链(liàn)安全(quán)，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护(hù)国(guó)家安全，依据(jù)《中华人(rén)民共和(hé)国(guó)国(guó)家安全法(fǎ)》《中华人(rén)民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的产(chǎn)品(pǐn)实施(shī)网(wǎng)络安全审查。

　　美光是(shì)美国的(de)存储(chǔ)芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存(cún)储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙采购占比(bǐ)已经(jīng)显著下(xià)降，至少已(yǐ)经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江(jiāng)波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应(yīng)商，采购(gòu)约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应(yīng)商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已(yǐ)经(jīng)在存储产业链上(shàng)下游建立国(guó)内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美(měi)光、西部(bù)数据等主要存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署了(le)长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的(de)稳定性，巩(gǒng)固公司在下(xià)游(yóu)市(shì)场(chǎng)的(de)供应优势，公司也与国(guó)内国产存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合(hé)作。

　　有券商此(cǐ)前就分(fēn)析，如果(guǒ)美光在中国区销售(shòu)受到限(xiàn)制(zhì)，或将导致下游客户(hù)转(zhuǎn)而采购国外三星女生工资多少算正常，女生工资多少算正常、 SK海力士，国内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从(cóng)中受益。存储器的生产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为(wèi)最(zuì)关键、最(zuì)大量的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的(de)孔或者沟槽(cáo)，催生(shēng)更多设(shè)备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开(kāi)支合计为75％。自(zì)长江存储被(bèi)加入(rù)美国(guó)限制名(míng)单，设备(bèi)国产化进程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及存储业务占(zhàn)比较(jiào)高(gāo)的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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