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　　美(měi)光(guāng)公司在华销售的产(chǎn)品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办(bàn)消息(xī)，日前(qián)，网络安全(quán)审查办公(gōng)室依法对美(měi)光公司在华销售产(chǎn)品进行了网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查(chá)。

　　审查(chá)发现，美光公司(sī)产品存在(zài)较(jiào)严重网络(luò)安全问题隐患，对(duì)我国(guó)关键(j抖音我从来没想过我这放荡的灵魂是什么歌，抖音有一首歌什么荡悠悠iàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施供(gōng)应链造(zào)成重大(dà)安(ān)全(quán)风(fēng)险(xiǎn)，影(yǐng)响(xiǎng)我国国(guó)家安全(quán)。为此，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依法作出(chū)不予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法(fǎ)规(guī)，我国(guó)内关键信(xìn)息基础(chǔ)设施的运营(yíng)者应停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络安全(quán)审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题危害(hài)国家关(guān)键信息基础设施安全，是维(wéi)护国(guó)家(jiā)安全(quán)的必要措施。中国坚定推(tuī)进高(gāo)水平对外开放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法律法规(guī)要求，欢(huān)迎(yíng)各国企业、各类平台产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文(wén)称，为保障关键信息基础设施(shī)供应(yīng)链安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐患造成网络(luò)安(ān)全风险(xiǎn)，维护(hù)国家(jiā)安全，依据《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中华(huá)人民共和国网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法(fǎ)》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华销售的(de)产(chǎn)品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美(měi)国的存(cún)储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电抖音我从来没想过我这放荡的灵魂是什么歌，抖音有一首歌什么荡悠悠子、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美(měi)光等(děng)国(guó)际(jì)存(cún)储(chǔ)厂商为(wèi)公司(sī)供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波龙(lóng)第一大(dà)存(cún)储(chǔ)晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一大、第二(èr)大和第三大供应商采(cǎi)购(gòu)金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙(lóng)已经在存(cún)储产业(yè)链上下游建(jiàn)立(lì)国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部(bù)数据等(děng)主(zhǔ)要存储晶圆(yuán)原(yuán)厂(chǎng)签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司(sī)在(zài)下游市场的供应优势，公司也(yě)与国(guó)内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光在(zài)中国区(qū)销售受到限制，或将(jiāng)导致下(xià)游(yóu)客(kè)户转而采购(gòu)国(guó)外(wài)三星、 SK海力(lì)士(shì)，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益(yì)。存储(chǔ)器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀(shí)目(mù)前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能(néng)会更(gèng)深的(de)孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生更多(duō)设备(bèi)需求。据东(dōng)京电子披(pī)露(lù)，薄膜沉积设(shè)备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美(měi)国限制名(míng)单，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升(shēng)，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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