大家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光(guāng)公司(sī)在华(huá)销售的产品未通过网络(luò)安全审(shěn)查

　　据网信(xìn)办消息(xī)，日前，网络安全审查办公室依法对美光公司在华销售(shòu)产品进行了网络安全审(shěn)查(chá)。

　　审(shěn)查(chá)发现(xiàn)，美光公司产品存在较严重(zhòng)网络安全问(wèn)题(tí)隐患，对(duì)我国关键信息(xī)基础设(shè)施供应链(liàn)造成重大安全风险，影响我国国家安(ān)全。为此(cǐ)，网(wǎng)络(luò)安全审查办(bàn)公室依法作出不予通过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安全(quán)法(fǎ)》等法(fǎ)律法规，我国(guó)内关键信息基础设施的(de)运营(yíng)者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美(měi)光公司(sī)产品。

　　此次对美光(guāng)公(gōng)司(sī)产品进行网络安全审查，目的(de)是防范产品网络安全(quán)问题危害国家关键信息基(jī)础设施安全，是维(wéi)护(hù)国家安(ān)全(quán)的必(bì)要(yào)措施。中国(guó)坚定推进高(gāo)水平对外开放(fàng)，只要遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关(guān)键(jiàn)信息基础设施(shī)供应链安全，防(fáng)范产品问题(tí)隐患造成网(wǎng)络安全(quán)风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人(rén)民共和(hé)国网络安全法》，网络(luò)安全(quán)审查(chá)办公室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙(lóng)头(tóu)，也(yě)是(shì)全球(qiú)存储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收观摩和观看的区别和联系，观摩和观看的区别在哪入(rù)从(cóng)此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)、佰(bǎi)维存(cún)储等公司披露过美光等(děng)国(guó)际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江(jiāng)波龙第(dì)一(yī)大存储(chǔ)晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商观摩和观看的区别和联系，观摩和观看的区别在哪采购(gòu)金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经(jīng)在存储产(chǎn)业链上(shàng)下(xià)游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西(xī)部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合约(yuē)，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的供(gōng)应优势，公司也(yě)与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉长江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前(qián)就分析，如果(guǒ)美光(guāng)在中(zhōng)国区(qū)销售受到限制，或将导致下游(yóu)客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分(fēn)析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受(shòu)益(yì)。存(cún)储(chǔ)器的生(shēng)产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深(shēn)的孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催生(shēng)更多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被(bèi)加入美(měi)国限制名单，设(shè)备国产化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关(guān)公(gōng)司份额提升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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