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　　美光公司在华销售的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息(xī)，日前(qián)，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依(yī)法对(duì)美光公司(sī)在华(huá)销售产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络(luò)安全(quán)问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键信息基础设施(shī)供应链造成(chéng)重大安全(quán)风险，影响我国国家安全(quán)。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查(chá)的(de)结论。按(àn)照《网络安全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我国内(nèi)关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络安全审查，目的(de)是防范产品网络(luò)安全(quán)问题危(wēi)害国家关(guān)键信息基础设施安全，是维护(hù)国家安全(quán)的必要措施。中国坚定(dìng)推进(jìn)高(gāo)水平对外(wài)开放(fàng)，只要遵守中国(guó)法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务进入(rù)中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键信(xìn)息(xī)基础设施供应链安(ān)全，防范产(chǎn)品问题隐患造成(chéng)网络(luò)安(ān)全风险，维(wéi)护国(guó)家安全，依据《中华(huá)人(rén)民共和国国家(jiā)安(ān)全法》《中华人(rén)民共(gòng)和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按(àn)照《网络安全(quán)审查(chá)办(bàn)法(fǎ)》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存(cún)储芯片巨头(tóu)之一(yī)，2022年收入来自中国市场收(shōu)入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等公司披露过美(měi)光等国际(jì)存储厂商为公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经(jīng)显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位(wèi)列江(jiāng)波龙第(dì)一(yī)大(dà)存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第一大、第二大和(hé)第三大供(gōng)应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业链(liàn)上下游建立国内外(wài)广泛合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签署了女生工资多少算正常，女生工资多少算正常长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在下游市场的(de)供应优势，公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好(hǎo)的(de)合(hé)作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如(rú)果美光在中国区销(xiāo)售受到限制，或将导致下(xià)游客户(hù)转而(ér)采购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的(de)上(shàng)游设备厂或从中(zhōng)受益。存(cún)储(chǔ)器的生产(chǎn)已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大(dà)量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要(yào)经过薄(báo)女生工资多少算正常，女生工资多少算正常膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的(de)深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉(chén)积设(shè)备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被加(jiā)入美(měi)国限制名单，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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