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　　美光(guāng)公司在华(huá)销售(shòu)的产品未通过网络安全(quán)审查

　　据网信办消(xiāo)息，日(rì)前，网络(luò)安全审查(chá)办公室(shì)依法对美光公(gōng)司在华销售(shòu)产品进(jìn)行了网络安全审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在为什么不宣传李兰娟了，李兰娟为何销声匿迹较严重(zhòng)网(wǎng)络安全(quán)问题(tí)隐患，对(duì)我国关(guān)键信息基础设施(shī)供应(yīng)链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国(guó)国家安全(quán)。为此，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依法作出不予通过网络(luò)安(ān)全审(shěn)查的(de)结论。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国(guó)内关键信(xìn)息基础(chǔ)设施的运营(yíng)者(zhě)应停(tíng)止采购(gòu)美光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对(duì)美光公司产(chǎn)品进行网络(luò)安全审查，目的是(shì)防(fáng)范产(chǎn)品网络安全问题危害国(guó)家关键信息基础设(shè)施安全，是维护国家安全的必要措施(shī)。中国坚定推进(jìn)高(gāo)水平(píng)对外开放，只要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障(zhàng)关键信息基础(chǔ)设施(shī)供应(yīng)链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成(chéng)网络安(ān)全风险，维护国家安全，依据(jù)《中华(huá)人民共和国(guó)国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络(luò)安(ān)全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网络安为什么不宣传李兰娟了，李兰娟为何销声匿迹(ān)全审查办(bàn)法》，对美(měi)光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额(é)约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司披露过(guò)美光等国际(jì)存储厂(chǎng)商(shāng)为(wèi)公(gōng)司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采(cǎi)购占(zhàn)比已经显(xiǎn)著(zhù)下降(jiàng)，至(zhì)少已经不(bù)是(shì)主要大(dà)供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美(měi)光位(wèi)列江(jiāng)波龙(lóng)第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应商(shāng)采购金(jīn)额占(zhàn)比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已(yǐ)经在存(cún)储产业链上下游建(jiàn)立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主(zhǔ)要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司(sī)在下游市(shì)场的供应优势，公(gōng)司也与国(guó)内国产存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光(guāng)在中(zhōng)国(guó)区(qū)销售受到(dào)限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备(bèi)厂或从中受益(yì)。存储器(qì)的生产(chǎn)已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的(de)加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺步骤，同时(shí)刻蚀(shí)目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披(pī)露(lù)，薄膜沉(chén)积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计(jì)为(wèi)75％。自(zì)长江存(cún)储被加入美国限制(zhì)名(míng)单，设备国产化进(jìn)程加(jiā)速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提升，以及存储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等(děng)收入(rù)增长。

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